消耗品的消耗程度预测方法、沉积膜厚度预测方法及等离子体处理装置

摘要

还没有常规方法可以不用打开处理室而预测消耗品的消耗程度和沉积膜的厚度。本发明提供一种用于预测等离子体处理装置(10)中的消耗品的消耗程度和沉积膜厚度的方法，该处理装置(10)利用等离子体对晶片W进行规定的处理，等离子体是通过施加高频电源(20)由处理气体产生的，随时间测量分别相应于聚焦环(21)的厚度、堆积膜厚度而变化的高频电源(20)的基波和整数倍波的电压和电流，使用这些测量数据进行多重回归分析从而预测聚焦环(21)的厚度和堆积膜厚度。

主权项

1.一种预测用于处理装置内的消耗品的消耗程度预测方法，该处理装置使用施加高频电力而由处理气体生成的等离子体对被处理体进行规定的处理，其特征在于，具有：随时间测量相应于所述消耗品的消耗程度而变化的作为电气数据的多个电压和电流的工序；和使用这些测量到的电气数据进行多变量分析从而预测所述消耗程度的工序，所述消耗品是聚焦环，所述消耗程度以所述消耗品的厚度作为基准。