| 发明名称 | 发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发射射线的半导体芯片和包含该半导体芯片的装置，该半导体芯片具有：一个半导体多层结构，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个含有至少一种发光材料的发光变换层，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线。由此既能采用简单工艺方法进行大批量生产，又能在最大程度上保证器件的可再现性特征。 | ||
| 申请公布号 | CN1722485A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200510091728.0 | 申请日期 | 1997.06.26 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 发明人 | U·雷;K·赫恩;N·斯塔施;G·韦特;P·施洛特;R·施米特;J·施奈德 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;王忠忠 |
| 主权项 | 1.发射射线的半导体芯片，具有一个半导体多层结构，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个含有至少一种发光材料的发光变换层，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||