发明名称 | 半导体电路装置 | ||
摘要 | 本发明是有关一种半导体电路装置,具有一半导体基板(1),一第一掺杂区,一第二掺杂区(2),一连接掺杂区(3),一绝缘层(6),将被平面化的一导电结构(4,5),被形成于平面化步骤期间的电荷载子是可藉由被形成于第一及第二掺杂区(1,2)中的放电掺杂区(7)被可靠地驱散且避免树枝状结晶形成。 | ||
申请公布号 | CN1723568A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
申请号 | CN200380105640.9 | 申请日期 | 2003.11.27 |
申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | G·布拉塞;M·奥斯特马耶;E·鲁德尔 |
分类号 | H01L29/06(2006.01) | 主分类号 | H01L29/06(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
主权项 | 1.一种半导体电路装置,具有一半导体基板(1),具有至少一第一传导类型(p)的第一掺杂区;与该第一传导类型(p)相对而被成于该第一掺杂区中的第二传导类型(n)的一第二掺杂区(2);该第二传导类型(n)的一连接掺杂区(3),其是被形成于该第二掺杂区(2)中以连接该第二掺杂区;一绝缘层(6),其被形成于该半导体基板(1)表面上;及将被平面化的一导电结构(4,5),是至少部份被嵌入该绝缘层(6)中且与该连接掺杂区(3)做电子接触;其包含该第二传导类型(n)的一放电掺杂区(7;3A;7A;7E),其至少于该第一及第二掺杂区(1,2)中被设计驱散电荷载子于平面化步骤期间。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |