| 发明名称 | 用于化学机械平坦化的多步抛光液 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有0.1－30wt％的氧化剂，0.01－3wt％的无机盐或酸，0.01－4wt％的抑制剂，0.1－30wt％的研磨剂，0－15wt％的配位剂和余量的水，其中该含水组合物具有1.5－6的pH值。 | ||
| 申请公布号 | CN1721493A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200510071796.0 | 申请日期 | 2005.02.22 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 刘振东;J·匡西;R·E·施密特;T·M·托马斯 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1、用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物具有1.5-6的pH值。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||