具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法

摘要

通过调节栅极氧化物层的厚度以适应特定的工作电压来优化各种晶体管的各性能。实施方案包括通过初始沉积一个或多个其间有蚀刻的栅极氧化物层，从将要形成具有较薄栅极氧化物的晶体管的有源区域除去沉积的氧化物，以形成具有不同栅极氧化物厚度的晶体管，接着进行一个或多个热氧化步骤。实施方案包括通过初始沉积氧化物膜，从将要形成具有较薄栅极氧化物的低压晶体管的有源区域选择性除去沉积的氧化物，以形成包含具有两个不同的栅极氧化物厚度的晶体管的半导体器件，随后进行热氧化。

主权项

1.一种制造包含多个晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底表面形成绝缘区域，以隔离将形成晶体管的多个有源区域；在包括第一和第二有源区域的有源区域上以第一厚度沉积氧化物层；从第二有源区域选择性除去沉积的氧化物层；和热氧化所述衬底，以在第二有源区域上以小于第一厚度的第二厚度形成热氧化物层。