| 发明名称 | 具有铁电膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在TC并行单元串联连接铁电存储器中，在半导体衬底(11)上形成层间绝缘膜(15，16)，以覆盖第一和第二半导体区(12)以及栅电极(14)。在层间绝缘膜(16)上形成铁电电容器的第一和第二下电极(18A，18B)。在层间绝缘膜中形成第一接触塞(21A)，接触第一下电极。在层间绝缘膜中形成第二接触塞(21B)，接触第二下电极。第一和第二接触塞连接到埋置的互联(22)，该互联(22)由第三接触塞(23)连接到所述半导体区中的一个。在另一个实施例中，第一到第三接触塞以及所述埋置的互联被单一的接触塞(36)所取代。 | ||
| 申请公布号 | CN1723562A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN03801080.1 | 申请日期 | 2003.06.11 |
| 申请人 | 株式会社东芝;英芬能技术公司 | 发明人 | 金谷宏行;安德里亚斯·希利格 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8246(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底的表面区中形成的第一半导体区；在所述半导体衬底的所述表面区中与所述第一半导体区分开形成的第二半导体区；在所述半导体衬底的位于所述第一和第二半导体区之间的部分上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；在所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜，以覆盖所述第一半导体区、第二半导体区和栅电极；在所述层间绝缘膜上形成的第一和第二下电极；在所述层间绝缘膜中形成并与所述第一下电极接触的第一接触塞；在所述层间绝缘膜中与所述第一接触塞分开形成并与所述第二下电极接触的第二接触塞；在所述第一下电极上形成的第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成的第一上电极；在所述第二下电极上形成的第二铁电膜；以及在所述第二铁电膜上形成的第二上电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||