薄膜晶体管及其制造

摘要

制造底栅晶体管的一种方法，包括在栅绝缘体层(22a)上沉积第一微晶硅层(40)，并且将微晶硅层暴露于氮等离子体(42)，从而形成具有结晶结构的氮化硅。以此方式制成微晶氮化硅多层。在暴露层上再沉积一层微晶硅层，用来构成晶体管的半导体本体(14)。本方法使得晶体管本体的底部具有微晶结构，改善了半导体层的迁移率，甚至在与栅绝缘体层的界面。暴露的氮化硅层成为栅绝缘体层的部件，并且栅绝缘体层与半导体晶体管本体之间的结构性匹配得到了改善，因为这些层是从相同的微晶硅结构延伸来的。

主权项

1.一种制造晶体管的方法，包括：(i)在绝缘基板上确定一个栅导体；(ii)在栅导体上形成一个栅绝缘体层；(iii)在栅绝缘体层上沉积第一微晶硅层；(iv)将微晶硅层曝露于氮等离子体，从而形成氮化硅，而且控制等离子体条件以保持结晶结构；(v)重复步骤(iii)和(iv)以便形成多个微晶硅层；(vi)在曝露层上再形成一层微晶硅层，所述再形成的一层微晶硅层构成晶体管的半导体本体；以及(vii)在晶体管本体上限定一个源和漏结构。