| 发明名称 | 在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在n型硅片上生长一层p型的掺杂锰酸镧La<SUB>1－x</SUB>A<SUB>x</SUB>MnO<SUB>3</SUB>薄膜，形成p－n异质结材料；其中A为：Ca、Sr、Ba、Pb或Sn，所有x的取值范围为0.05～0.5；或在p型硅片上生长一层n型的掺杂锰酸镧La<SUB>1－x</SUB>B<SUB>x</SUB>MnO<SUB>3</SUB>薄膜，形成p－n异质结材料；其中B为：Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta，所有x的取值范围为0.05～0.5。制备方法采用两步法，将锰酸镧或掺杂的锰酸镧材料直接外延生长在硅衬底上，或把在硅片上生长的锰酸镧或掺杂锰酸镧作为缓冲层，然后再外延生长其它钙钛矿氧化物薄膜，或多层膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1722390A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200410068866.2 | 申请日期 | 2004.07.13 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 吕惠宾;何萌;黄延红;相文峰;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢 |
| 分类号 | H01L21/36(2006.01);H01L29/82(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L43/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/36(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1.一种在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料，包括以下组成：以n型硅片为衬底；在其n型硅片衬底上生长一层p型的掺杂锰酸镧La1-xAxMnO3薄膜，同时形成p-n异质结材料；其中A为：Ca、Sr、Ba、Pb或Sn，所有x的取值范围为0.05～0.5。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||