Semiconductor memory with random access

摘要

Die Erfindung betrifft eine Speichermatrix, die mindestens ein Zellenfeld aus sich kreuzenden Spalten und Zeilenleitungen aufweist. An den Schnittpunkten der Zeilen und Spaltenleitungen befinden sich jeweils Speicherelemente. Jeweils zwei voneinander benachbarte Leitungen sind so miteinander überkreuz geführt, dass die beiden Leitungen abschnittsweise ihre Anordnungen in Verlaufsrichtung ändern, um das Überkoppeln von Signalen auf den betreffenden Leitungen zu minimieren.