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<p>Um ein Verfahren zur mehrschrittigen Bearbeitung eines dünnen und unter den Bearbeitungsschritten bruchgefährdeten Halbleiter-Waferprodukts 1 anzugeben, das es gestattet, bei verringertem Arbeits- und apparativen Aufwand und vereinfachter Handhabung des Waferprodukts 1 den Ausschuss bei der Produktion der eingangs genannten Produkte - beispielsweise bedingt durch Bruch des Waferprodukts 1 - zu verringern bis gänzlich zu vermeiden, wird vorgeschlagen, dass die Rückseite des Waferprodukts 1 einer Hochtemperaturbehandlung unterworfen wird, während an dessen aktiver Vorderseite ein Vorderseiten-Trägersubstrat 3 montiert ist. Daraufhin wird auf die Rückseite und/oder auf ein Rückseiten-Substrat aus leitfähigem Material eine Metallbasis-Bondingdeckschicht 7 aufgetragen. Ein Rückseiten-Substrat 10 wird anschließend durch Formierung des dazwischenliegenden Metallbasis-Bondingmaterials 7,8 durch Wärmebehandlung mit der Rückseite des Waferprodukts 1 verbunden. Dabei entsteht eine leitfähige Metallbasis-Bondingschicht 11.
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