| 摘要 |
本发明提出一种防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法，以解决整批式离子植入晶圆表面受微尘粒子撞击造成缺陷的问题，其系藉由配合晶圆倾斜的方向，机动地调整转盘系统的旋转方向，使欲形成深显微尺寸电路构造的晶圆的离子植入面始终不会受到微尘粒子的撞击。本发明之方法包括：当进行正倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为顺时针方向，当进行负倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为逆时针方向。如此，晶圆的离子植入面始终不会在转盘系统旋转时面对微尘粒子的撞击，而可达成本发明之整批式离子植入制程中防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法之目的。 |
