| 摘要 |
本发明系为半导体装置与非挥发性记忆装置提供利用压电弹道电荷注入机制之方法与装置。该装置系包括一应变源，一注入过滤器，一第一导电区域，一第二导电区域，以及一第三导电区域。该应变源允许弹道电子传输中的压电效应，使得元件操作中可以产生压电弹道电荷注入机制。该过滤器允许具第一极性的电荷载子能由该第一导电区域，经过该注入过滤器与该第二导电区域到达该第三导电区域，然却阻挡具相反极性之电荷载子由该第二导电区域传输至该第一导电区域。本发明更提供一种能带工程学方法，以允许该装置之操作不受干扰、介电质击穿、撞击游离，以及RC效应之影响。 |
