用于乾蚀刻后的清洁液组合物及用于制造半导体元件的方法

摘要

本发明之课题在于提供一种不使蚀刻形状改变而可以在绝缘膜的乾蚀刻时除去产生于蚀刻壁面的残渣(特别是高分子残渣)之洗净液组成物。本发明之解决手段为：提供一种绝缘膜之图案蚀刻之后处理洗净而使用的洗净物组成物，至少含有1种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐与水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵以及醋酸铵中至少一种。