发明名称 | 释放晶圆应力的方法 | ||
摘要 | 一种释放晶圆应力的方法,首先提供一晶圆,且晶圆上至少已形成有介电层覆盖于其上。而且,晶圆具有第一及第二区域,其中至少在第一区域内之介电层上未配置电路。按着在第二区域内之介电层中形成开口,然后再于介电层上形成材料层。此时,材料层在对应于第一开口的表面上会形成凹陷区域。而材料层可藉由此凹陷区域释放应力,进而降低其施予晶圆之应力。 | ||
申请公布号 | TW200603205 | 申请公布日期 | 2006.01.16 |
申请号 | TW093121097 | 申请日期 | 2004.07.15 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄瑞祯 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |