发明名称 释放晶圆应力的方法
摘要 一种释放晶圆应力的方法,首先提供一晶圆,且晶圆上至少已形成有介电层覆盖于其上。而且,晶圆具有第一及第二区域,其中至少在第一区域内之介电层上未配置电路。按着在第二区域内之介电层中形成开口,然后再于介电层上形成材料层。此时,材料层在对应于第一开口的表面上会形成凹陷区域。而材料层可藉由此凹陷区域释放应力,进而降低其施予晶圆之应力。
申请公布号 TW200603205 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW093121097 申请日期 2004.07.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄瑞祯
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号