用于高压“金属氧化物半导体场效应电晶体"( MOSFET)之缩减表面场(RESURF)扩散之改良制程

摘要

一种用于高电压半导体装置之起始晶圆，其藉由将砷植入于P型矽基板晶圆之顶表面中至大约0.1微米之深度而形成。然后，在基板顶成长N型未分段磊晶层而无须任何扩散步骤，以致于砷未被刻意驱动。然后，将此等装置接面扩散至磊晶成长层中。