发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在基板上形成矽晶核,沈积第一非晶矽,沈积第二非晶矽,并藉着使晶核在固相中生长,而使第一非晶矽及第二非晶矽结晶。
申请公布号 TW200603388 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094116272 申请日期 2005.05.19
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 小松宪代;相宗史记;广田俊幸
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本