ONO结构中之氧化层的形成方法

摘要

一种具有氧化矽／氮化矽／氧化矽(”ONO”)结构之半导体的形成方法，系先提供第一氧化矽层与氮化矽层覆盖于一具有记忆体元件区与逻辑元件区的基底上，再图案化第一氧化矽层与氮化矽层，以定义出部分完成之ONO堆叠结构的底氧化物与氮化矽部位，并暴露出逻辑元件区域内的基底。在具有自由基氧化剂的环境下进行快速热回火制程，以同时在氮化矽层所暴露出的表面上形成第二氧化矽层，并在基底上形成闸极氧化矽层。然后在完成的ONO堆叠结构以及闸极氧化层上沈积导电层。本发明可用以制造具有逻辑元件与含有ONO结构记忆胞的记忆体元件。依照本发明所述，在RTO制程中将图案化之氮化矽暴露于氧自由基下可有效缩短制程所耗费的时间，并降低热预算。此外，依照本发明所述，因为顶氧化层系完全覆盖住氮化矽层的上表面及侧壁，所以可避免氮化矽在后续的清洗制程中被暴露出来。且由于多晶矽闸极与顶氧化层间接触面积的增加，也因而增进了闸极的耦合比。