被处理体之氧化方法、氧化装置及记录媒体

摘要

本发明提供一种被处理体之氧化方法，其系可对露出表面之异种材料之表面进行充分的选择氧化处理，且亦可高度地维持其膜厚之面间均匀性。一种被处理体之氧化方法，其系于具有特定长度的可抽真空的处理容器22内收容复数片矽层与氮化矽层露出于表面之被处理体W，于具有对前述处理容器内供给氧化性气体及还原性气体，藉由使前述两气体反应而产生的氧活性种及氢氧基活性种之气氛中，使前述被处理体之表面选择性地氧化者，其中由前述处理容器之长边方向之一端侧分别供给前述氧化性气体及前述还原性气体，并于前述处理容器之长边方向之途中辅助地供给前述氧化性气体。