| 摘要 |
本发明系提供一种在使用高能量线曝光时，具有高感度、高解像性，可抑制显像时之膨润，因此线边缘粗糙度小，显像后之残渣较少之正型光阻材料。本发明之光阻材料系含有；具有下述式(1a)、(2a)及(1b)之重复单元的高分子化合物，094111223-p01.bmp(式中，R^1系H或CH3，R^2系H、醯基或酸不安定基，R^3系H、CH3或–CO2R^8；R^4系H、CH3，或–CH2CO2R^8；R^8系H或烷基，X为–CH2–、–O–或–S–，但是R^5～R^7全部为H时，则不为–CH2–；R^5～R^7为H、CH3或–CO2R^9；R^9系H或烷基。0≦a1／(a1＋a2＋b1)≦0.9；0≦a2／(a1＋a2＋b1)≦0.9；0＜(a1＋a2)／(a1＋a2＋b1)≦0.9；0＜(b1)／(a1＋a2＋b1)≦0.8之数)。094111223-p01.bmp |
