| 摘要 |
本发明揭示一种用以侦测具有N个Z区块之半导体记忆体中的整体资料汇流排(GDB)之阻抗性桥接缺陷之方法(300)。在一项范例具体实施例中，提供具有一预定测试图案之复数个资料集(310)。使用该等复数个资料集来向该等N个Z区块中之一Z区块内的至少一预定记忆体位置执行(320)写入及读取操作，从而将每一资料集应用于该至少一预定记忆体位置中的每一位置。为使弱桥接缺陷(105)变得敏感，至少连续四次重复向相同的记忆体位置执行相同资料集的写入及读取操作(330)。针对该记忆体中的所有Z区块重复该些步骤。以涵盖桥接缺陷(105)及弱桥接缺陷之实质上所有可能位置而同时实质上减少测试复杂性及测试时间之方式，来侦测该记忆体中的GDB之阻抗性桥接缺陷。 |
