半导体装置及其形成方法

摘要

本发明揭示一种防脱层(delamination)之半导体装置之形成方法。提供一半导体晶圆，其包括一具有上层蚀刻终止层之金属化(metallization)层。在蚀刻终止层上形成至少一附着促进(adhesion promoting)层。在附着促进层上形成一金属层间介电(IMD)层。本发明亦揭示一种防脱层之半导体装置。