| 摘要 |
本发明之半导体装置系具备有高端开关用功率型MOSFET与低端开关用功率型MOSFET串联而成的电路的非绝缘型DC－DC转换器，其特征在于高端开关用功率型MOSFET、低端开关用功率型MOSFET、用以控制高端开关用功率型MOSFET与低端开关用功率型MOSFET的驱动电路及与低端开关用功率型MOSFET并联连接的萧基二极体分别形成于不同的半导体晶片5a～5d，且此四个半导体晶片5a～5d被收纳于一个封装体6。又，半导体晶片5b、5d被搭载于同一个晶片座7a2上，且使半导体晶片5a、5c邻近配置。 |
