发明名称 用于电浆离子植入系统之现场准备处理腔室的方法
摘要 一种用于基板的电浆离子植入之方法系包括:提供电浆离子植入系统,其包括一处理腔室、用于在处理腔室产生一电浆之一源、用于在处理腔室持有一基板之一压板、以及用于将来自电浆的离子加速至基板之一电压源;于处理腔室之内表面沉积一新涂覆层,其组成上类似于由该基板之电浆离子植入所造成的一沉积薄膜;在沉积该新涂覆层之前,清洗该处理腔室之内表面,藉着运用一或多个活化的清洗前驱物而移除一旧有的薄膜;根据一电浆离子植入程序之基板的电浆离子植入;及,在一或多个基板之电浆离子植入之后,重复清洗处理腔室之内表面与沉积新涂覆层之步骤。
申请公布号 TW200602510 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094116323 申请日期 2005.05.19
申请人 维瑞安半导体设备公司 发明人 维克雷 席夫;欧图 古普塔;哈洛德M 波希;史帝芬R 沃瑟;安妮L 泰斯图尼
分类号 C23C14/48 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 美国
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