发明名称 光阻图形形成方法、使用该方法之半导体装置、及其曝光装置
摘要 在浸泡曝光中,一种可抑制光阻图形缺陷之光阻图形形成方法包含将一形成一光阻膜于其上之基板(10)及一形成一图形于其上之主光罩(32)安装(ST205)于一曝光装置上,将一第一化学溶液供给至该光阻膜上,以将一第一液膜选择性形成于该光阻膜上之一局部区域内,及排放该溶液,该第一液膜具有一流动(72b、72d、72e)且其形成于该光阻膜与一投影光学系统(33)之间,透过该第一液膜,将该主光罩(32)之图形转移(ST206)至该光阻膜,以形成一潜在影像,将一第二化学溶液供给(ST208)至该光阻膜上,以清洁该光阻膜,加热(ST210)该光阻膜,及将该光阻膜显影(ST211),以从该光阻膜形成一光阻图形。
申请公布号 TW200603254 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094108061 申请日期 2005.03.16
申请人 东芝股份有限公司 发明人 伊藤信一
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本