发明名称 薄膜形成装置及薄膜形成方法
摘要 〔课题〕目的在于:在将薄膜加以积层之光学膜中,形成其有接近设计值之光学特性的光学膜。〔解决手段〕在真空室内2具备有:保持基板4之旋转筒3、及于基板4之薄膜形成面形成金属膜之Si靶22、Ta靶23、及藉由电浆使金属膜与反应气体产生反应之ECR反应室30。在此薄膜形成装置51设置离子枪11,其系对薄膜形成面照射离子束,来促进形成在薄膜形成面之薄膜的反应,使金属膜之形成、气体反应、及藉由离子束之反应促进重复进行。
申请公布号 TW200602506 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094111046 申请日期 2005.04.07
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 谷典明;森中泰三;铃木寿弘;松本昌弘
分类号 C23C14/34;C23C14/46;C23C14/54 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本