发明名称 半导体发光元件及其制法
摘要 半导体发光元件(LE1),具备生成光的多层构造体LS。该多层构造体LS包含层合之复数化合物半导体层(3–8),且具有相互对面之第1及第2主表面(61、62)。在第1主表面上配置第1电极(21),而在第2主表面上配置第2电极(31)。在第1主表面上还以包覆第1电极的方式形成氧化矽构成的膜(10)。对由多层构造体生成的光呈现光学透明的玻璃板(1),系介由氧化矽构成的膜固定于多层构造体。
申请公布号 TW200603506 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094111474 申请日期 2005.04.12
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 田中章雅
分类号 H01S5/00;H01L33/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本
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