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发明名称
半导体积体电路、半导体积体电路设计方法、及半导体积体电路设计系统
摘要
相较于知半导体积体电路,本发明提供可减少互连线之宽度,同时尚可有效抑制电迁移现象之半导体积体电路。一输入单元101将互连线资讯储存于一互连线资讯储存单元104中;一算术运算单元102藉由存取互连线资讯储存单元104以取得互连线资讯,同时于存取算术运算参数储存单元105时取得一算术运算参数,以根据该等数值决定互连线之宽度W。换言之,电流流经其中之互连线的宽度W系以(电流i)^1/3乘以算术运算参数(常数)来决定。
申请公布号
TW200602920
申请公布日期
2006.01.16
申请号
TW094115967
申请日期
2005.05.17
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
横川慎二
分类号
G06F17/50;H01L21/82
主分类号
G06F17/50
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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