发明名称 半导体积体电路、半导体积体电路设计方法、及半导体积体电路设计系统
摘要 相较于知半导体积体电路,本发明提供可减少互连线之宽度,同时尚可有效抑制电迁移现象之半导体积体电路。一输入单元101将互连线资讯储存于一互连线资讯储存单元104中;一算术运算单元102藉由存取互连线资讯储存单元104以取得互连线资讯,同时于存取算术运算参数储存单元105时取得一算术运算参数,以根据该等数值决定互连线之宽度W。换言之,电流流经其中之互连线的宽度W系以(电流i)^1/3乘以算术运算参数(常数)来决定。
申请公布号 TW200602920 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW094115967 申请日期 2005.05.17
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 横川慎二
分类号 G06F17/50;H01L21/82 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本