制造快闪记忆元件之方法

摘要

揭露使用一STI过程制造一快闪记忆元件之一方法，一投射结构之隔离膜藉一斜离子植入过程与一湿蚀刻过程成为一突点结构之隔离膜，一多晶矽层经由一CMP过程与一蚀回过程之二步骤过程被移除而直至隔离膜之顶部，因此形成漂浮闸与高电压闸与一胞元之低电压电晶体，如此，因为突点结构之隔离膜与漂浮闸同时被形成，它有可能确保介于主动区域与浮置层间之重叠边缘而不论快闪记忆元件之收缩，而且当突点结构之隔离膜被形成时槽沟可被避免产生在介于主动区域间之边界，而且，当漂浮闸与高电压闸与低电压电晶体被形成时，一凹陷现象与一侵蚀现象可被避免。