双方向光闸流体晶片、光点弧耦合器、及固态继电器

摘要

本发明系双方向光闸流体晶片31之两个动作通道CH1，CH2以不交叉之方式彼此分离配置。而且，在N型矽基板上之左侧之P闸极扩散区域23与右侧之P闸极扩散区域23'之间，且CH1与CH2之间，形成有以掺入磷之氧掺杂半绝缘多晶矽膜35a构成之通道分离区域29。因此，上述N型矽基板表面之通道分离区域29附近之矽界面位准(Qss)增大，N型矽基板内之少数载作为子之电洞在上述区域消失。其结果，于CH1渐开时，在CH2侧施加有反相位之电压时，虽然无光入射，仍可防止CH2接通之换流失败，可提高换流特性。