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发明名称 METHOD OF FORMING NARROW THERMAL SILICON DIOXIDE SIDE ISOLATION REGIONS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MOS SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THIS METHOD
摘要
申请公布号 KR100521790(B1) 申请公布日期 2006.01.12
申请号 KR19980036390 申请日期 1998.09.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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