发明名称 A memory device for reducing the leakage current
摘要
申请公布号 KR100541687(B1) 申请公布日期 2006.01.12
申请号 KR20040047266 申请日期 2004.06.23
申请人 发明人
分类号 G11C7/02;G11C8/00;G11C29/00 主分类号 G11C7/02
代理机构 代理人
主权项
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