发明名称 SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH LATERAL HEAT DISSIPATION
摘要 <p>Die Erfindung betrifft einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator und mit seitlicher Wärmeabfuhr. Ein erfindungsgemäßer Laser weist auf einem Substrat (10) einen ersten Bragg-Spiegelstapel (11), eine aktive laseremittierende Schicht (13) und einen zweiten Bragg-Spiegelstapel (16) auf und ist dadurch gekennzeichnet, dass aus dem zweiten Bragg-Spiegelstapel, der aktiven Schicht und dem ersten Bragg-Spiegelstapel eine Mesa ausgeätzt ist, welche auf Höhe des ersten Bragg-Spiegelstapels, der aktiven Schicht und des zweiten Bragg-Spiegelstapels eine Seitenfläche (2) ausbildet, auf der eine elektrische Isolationsschicht (30) aus einem nicht leitenden und nicht halbleitenden Material angeordnet ist.</p>
申请公布号 WO2006003011(A1) 申请公布日期 2006.01.12
申请号 WO2005EP07312 申请日期 2005.07.06
申请人 UNIVERSITAET ULM;MAEHNSS, JUERGEN 发明人 MAEHNSS, JUERGEN
分类号 H01S5/024;H01S5/183;(IPC1-7):H01S5/183 主分类号 H01S5/024
代理机构 代理人
主权项
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