| 摘要 |
Auf der Mehrlagenverdrahtung des Silicium-Trägersubstrats (4) sind in Flip-Chip-Technik Halbleiterchips (1) montiert, während die Unterseite des Substrats (4) mit Lötkontakten in Form von Lotballungen (7) (BGA) versehen und so strukturiert ist, daß für jeden Lötkontakt eine sich trichterförmig von der Unterseite bis zur untersten Leiterbahnebene verengende Mulde (6) gebildet ist, die von der jeweiligen Lotballung (7) gefüllt ist, so daß die Lotballung (7) selbst die Mehrlagenverdrahtung kontaktiert.
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