| 主权项 |
1.一种制造微电子组件之方法,包含: 藉由预热未流动底部填充材料来增进该未流动底 部填充材料之润湿性及流动特性; 组装一构造,该构造包括一载体基板、一具有一积 体电路之微电子晶粒以及在该载体基板与该晶粒 之间的未流动底部填充材料,在包括载体基板、该 微电子晶粒及该未流动底部填充材料之构造被组 装之前,该未流动底部填充材料的润湿特性已被增 进; 藉由加热然后使该互连元件冷却,以软熔位在该构 造之该载体基板与该微电子晶粒之间的互连元件; 及 藉由加热该未流动底部填充材料达一段足以硬化 该未流动底部填充材料的时间,以硬化该构造之未 流动底部填充材料。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该未流动底部 填充材料系在与该微电子晶粒或该载体基板相接 触之前被预热。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中藉由分配该未 流动底部填充材料于该载体基板上,然后将该微电 子晶粒定位成邻近该未流动底部填充材料而组装 成该构造。 4.如申请专利范围第3项之方法,其进一步包含: 在该互连元件被软熔的同时以一夹具固持该微电 子晶粒;及 从该微电子晶粒释放该夹具。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中藉由分配该未 流动底部填充材料于该微电子晶粒上然后将该载 体基板定位成邻近该未流动底部填充材料而组装 成该构造。 6.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含: 在该互连元件被软熔的同时以一夹具固持该微电 子晶粒;及 从该微电子晶粒释放该夹具。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该未流动底部 填充材料被预热至一介于30℃及120℃之间的温度 。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该互连元件在 至少183℃之温度下被软熔。 9.一种制造一微电子组件之方法,包含: 施配一未流动底部填充材料于一具有一积体电路 之晶粒上; 然后将一载体基板定位成邻近该未流动底部填充 材料; 藉由加热然后使该互连元件冷却,以软熔位在该载 体基板与该微电子晶粒之间的互连元件;及 藉由加热该未流动底部填充材料达一段足以硬化 该未流动底部填充材料的时间,以硬化该未流动底 部填充材料。 10.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包含: 在将该未流动底部填充材料施配在该晶粒上之前, 预加热该未流动底部填充材料。 11.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包含: 在该载体基板被定位成邻近该底部填充材料之后 且在该互连元件被软熔之前,预加热该未流动底部 填充材料。 12.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包含: 在该互连元件被软熔的同时以一夹具固持该微电 子晶粒;及 从该微电子晶粒释放该夹具。 13.如申请专利范围第9项之方法,其中该未流动底 部填充材料被预热至一介于30℃及120℃之间的温 度。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该互连元件 在至少183℃之温度下被软熔。 15.一种制造微电子组件之方法,包含: 组装一构造,该构造包括一载体基板、一具有一积 体电路之微电子晶粒、位在该载体基板与该晶粒 之间的互连元件以及一位在该互连元件之间的未 流动底部填充材料; 然后将该底部填充材料加热至一温度,该温度低于 该互连元件之软熔温度; 然后将该晶粒与一夹具相连接;及 在该晶粒被该夹具所固持的同时,藉由加热该互连 元件来软熔该互连元件。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该构造系藉 由施配该未流动底部填充材料于该载体基板上而 组装成。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中该未流动底 部填充材料被预热至一介于30℃及120℃之间的温 度。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该互连元件 在至少183℃之温度下被软熔。 图式简单说明: 图1A至1E系构件及装置之侧视图,该构件及装置系 使用于依照本发明之一实施例之制造一微电子组 件之方法; 图2系对应至图1A至1E之流程图; 图3A至3E系构件及装置之侧视图,该构件及装置系 使用于依照本发明之另一实施例之制造一微电子 组件之方法; 图4系对应至图3A至3E之流程图; 图5A至5E系构件及装置之侧视图,该构件及装置系 使用于依照本发明又另一实施例之制造一微电子 组件之方法;及 图6系对应至图5A至5E之流程图。 |
