| 主权项 |
1.一种溅镀成膜方法,其针对至少二件磁控管溅镀 机构呈并排地布置于成膜室内,而上述磁控管溅镀 机构具有呈往基板输送方向往返运动之磁铁,并在 使基板依序与上述至少二件的磁控管溅镀机构之 各件呈对置的同时且将其往上述基板输送方向输 送,再于该基板输送当中利用上述至少二件磁控管 溅镀机构且其呈对置状态时对于上述基板依序进 行溅镀成膜,其特征为: 利用上述磁控管溅镀机构所致的上述磁铁的往返 运动,在上述至少二件磁控管溅镀机构之间使上述 磁铁往返运动的相位呈相移,且使正方向的移动速 度和反方向的移动速度不相同。 2.如申请专利范围第1项之溅镀成膜方法,其中在上 述磁控管溅镀机构的数量为二件之情况之下,并在 上述二件磁控管溅镀机构之间调整上述磁铁往返 运动的相位,以使上述基板上所作的各成膜时产生 180的相移,且利用上述二件磁控管溅镀机构的各 件所作且对于基板的成膜时,调整上述磁铁的正方 向移动速度和反方向移动速度,以在上述基板输送 方向的薄膜厚度分布方面可使较厚区域的长度和 较薄区域的长度均为相等。 3.如申请专利范围第2项之溅镀成膜方法,其中假设 上述基板的输送速度为Vt、上述磁铁的一次往返 时间为T、上述基板输送方向的磁铁移动幅度为2L 时,上述正方向的移动速度Vf为由Vf=1/(T/(4L)+1/Vt)而 获得,而上述反方向的移动速度Vr则为由Vr=1/(T/(4L)- 1/Vt)而获得。 图式简单说明: 图1为显示关于本发明的实施形态之溅镀成膜方法 所实施的溅镀成膜装置之代表性的实施形态,且为 基板输送式连续溅镀成膜装置之水平剖面图。 图2为以放大显示将关于本发明的实施形态之基板 输送式连续溅镀成膜装置中所包含的复数件磁控 管溅镀机构的某一件之水平剖面图。 图3为图2所示的磁控管溅镀机构所包含的磁铁移 动机构之平面图。 图4(A)、(B)为显示利用已使磁铁往返运动的相位呈 相移的第一和第二的二件磁控管溅镀机构的各件 所作成膜且在基板上的基板输送方向的薄膜厚度 分布之图式。 图5为显示利用二件磁控管溅镀机构所作成膜且在 基板上的基板输送方向的薄膜厚度分布之图式。 图6(A)-(C)为显示为了说明产生问题的磁铁动作例 而对于基板的磁铁动态之图式。 图7为显示基于图6所示的磁铁动作例且在基板上 的磁铁的相对速度之图式。 图8为显示基于图6所示的磁铁动作例且利用二件 磁控管溅镀机构的各件所作而在基板上的磁铁的 相对速度之图式。 图9(A)-(C)为显示为了说明关于本实施形态的较佳 的磁铁动作例而对于基板的磁铁动态之图式。 图10为显示基于图9所示的磁铁动作例且在基板上 的磁铁的相对速度之图式。 图11为显示基于图9所示的磁铁动作例且利用二件 磁控管溅镀机构的各件所作而在基板上的磁铁的 相对速度之图式。 图12为基于本发明的实施例1之基板输送方向的薄 膜厚度分布之特性图。 |
