| 主权项 |
1.一种于一水平式炉管中进行沉积的方法,包含下 列步骤: 提供一晶舟,该晶舟上承载数个晶圆,该晶舟包含 一第一端及一第二端; 在该晶舟的第一端之下方安置一圆棍,以垫高一高 度,使得该晶舟的第一端及第二端有一高度差,且 该数个晶圆和水平面夹一角度; 在该圆棍下方安置至少一支撑架,以固定该圆棍于 该水平式炉管中;以及 进行沉积制程。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该水平 式炉管中为进行氮化矽之化学沉积。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶舟为 一石英晶舟。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该圆棍为 石英制成。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步在该圆 棍两端各安置一侧边固定架,以固定该石英晶舟于 该圆棍上。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该高度差 为3公匣。 7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该角度为 1.5度。 8.一种在一水平炉管中改善氮化矽沉积不均匀的 装置,包含: 一石英晶舟,该石英晶舟上承载多个晶圆,该石英 晶舟含有一第一端及一第二端; 一圆棍,安置于该石英晶舟之第一端的下方,使得 该石英晶舟的第一端及第二端有一高度差,以及该 多个晶圆和垂直面夹一角席;以及 一支撑架,安置于该圆棍下方,以固定该圆棍于该 水平式炉管中。 9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该高度差 为3公座。 10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该角度 为1.5度。 11.如申请专利范围第8项所述之装置,其中在该圆 棍下方两端各安置一侧边固定架,以固定该石英晶 舟于该圆棍上。 图式简单说明: 图1为先前技术之石英晶舟的示意图。 图2为图1之石英晶舟延3-3'剖面线的剖面图,及晶舟 中置入晶圆的状况。 图3为先前技术酸洗数次后的石英晶舟,置入晶圆 的状况。 图4揭露本发明的石英晶舟和石英晶舟架之安置方 式示意图。 图5为本发明的石英晶舟沿6-6'剖面线的剖面图,及 晶舟中置入晶圆的状况。 |
