聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物

摘要

本发明系为一聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物，其利用双(邻-二胺基酚)单体、二酸酐单体及二酸卤化物单体利用聚缩合反应直接合成一系列不同分子结构的聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物〔poly(imide-benzoxazole)，PI-PBO〕，可应用于IC晶片保护膜、Multichip Modules (MCM-D)的金属层间绝缘材料、软质印刷电路板及TAB (Tape Automatic Bonding)的基材及电子封装材料等相关积体电路及电子封装材方面。

主权项

1.一种聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物,系至少包含: 其中,该X为 及X不存在中择其一; 其中,该Ar为 中择其一; 其中,该Y为 及Y不存在中择其一; 其中,该Ar'为 中择其一; 其中,该Z为 及Z不存在中择其一; 其中,该n与该m为10到1000之整数。 2.依据申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺-苯恶唑 共聚合物,其中,该聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物为薄 膜及纤维中择其一。 3.依据申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺-苯恶唑 共聚合物,其中,该聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物系由 双(邻-二胺基酚)单体、二酸酐单体及二酸卤化物 单体聚缩合反应合成。 4.依据申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺-苯恶唑 共聚合物,其中,该聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物之前 驱物,系至少包含: 其中,该W为 及W不存在中择其一; 其中,该Ar为 中择其一; 其中,该Y为 及Y不存在中择其一; 其中,该Ar'为 中择其一; 其中,该Z为 及Z不存在中择其一; 其中,该n与该m为10到1000之整数。 5.依据申请专利范围第4项所述之聚亚醯胺-苯恶唑 共聚合物,其中,该聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物之前 驱物的浓度为1wt%~60wt%。 6.依据申请专利范围第4项所述之聚亚醯胺-苯恶唑 共聚合物,其中,该聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物之前 驱物为薄膜、涂料、接着剂及纤维中择其一。 图式简单说明: 第1图,系本发明之聚亚醯胺-苯恶唑共聚合物之合 成示意图。 第2图,系本发明之ODC单体之合成示意图。 第3图,系本发明之BisAPAF-80%ODC-20%PMDA PI-PBO前驱物之 合成示意图。 第4图,系本发明之PI-PBO-1前驱物高温环化成PI-PBO-1 之合成示意图。 第5图,系本发明之BisAPAF-80%IC-20%PMDA PI-PBO前驱物之 合成示意图。 第6图,系本发明之PI-PBO-2前驱物高温环化成PI-PBO-2 之合成示意图。 第7图,系本发明之BisAPAF-50%IC-50%ODPA PI-PBO前驱物之 合成示意图。 第8图,系本发明之PI-PBO-3前驱物高温环化成PI-PBO-3 之合成示意图。