| 主权项 |
1.一种光学偏振光源装置,包括: 至少一奈米碳管束,及 与该奈米碳管束相连接之电极。 2.如申请专利范围第1项所述之光学偏振光源装置, 其中上述奈米碳管束之长度为600m。 3.如申请专利范围第1项所述之光学偏振光源装置, 其中上述电极之制造材料为金。 4.如申请专利范围第3项所述之光学偏振光源装置, 其中上述每一电极还包括一金线,此金线一端压入 奈米碳管束之端部。 5.如申请专利范围第1项所述之光学偏振光源装置, 其中上述奈米碳管束包括至少二根基本平行之奈 米碳管。 6.一种光学偏振光源装置,其包括: 一奈米碳管,及 与该奈米碳管相连接之电极。 7.一种制造如申请专利范围第1项所述之光学偏振 光源装置之方法,包括下列步骤: (1)沈积催化剂于一基底; (2)于预定温度下,使保护气体与碳源气之混合气体 与催化剂接触,使得至少一奈米碳管束从催化剂区 域长出; (3)取下至少一奈米碳管束,将其连接于电极。 8.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中于步骤(1)中所用催化剂可选择铁 、钴或镍。 9.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中于步骤(1)包括通过掩模板用电子 束蒸发法在基底上形成一层5nm厚、具有规则图案 之催化剂层-铁层。 10.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中于步骤(1)后将沈积有催化剂之基 底于温度300~500℃下热处理。 11.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中于步骤(2)中之预定温度为700℃。 12.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中于步骤(2)之前,通入氩气体。 13.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中上述碳源气为乙炔,保护气体为 氩气体。 14.如申请专利范围第7项所述之制造光学偏振光源 装置之方法,其中步骤(3)包括将两金线分别压入奈 米碳管束之两端,然后用超声波压焊线机将金线接 合于金电极。 图式简单说明: 第一图系本发明之光学偏振光源装置之示意图。 |
