| 主权项 |
1.一种用于形成一绝缘层之方法,包含: 准备一氧化环境以便藉由使用一氧气形成该绝缘 层于一底材上; 形成一第一种晶层以便藉由使用一四乙基正矽酸 盐与氧气形成该绝缘层于该底材上; 形成一第二种晶层以便形成该绝缘层,其可藉由使 用三乙基硼酸盐、四乙基正矽酸盐以及氧气来控 制被加至该第一种晶层的硼量; 形成一BPSG层,其可藉由使用三乙基硼酸盐、三乙 基磷酸盐、四乙基正矽酸盐以及臭氧来控制被加 至具有该第一种晶层与第二种晶层的底材内之硼 与磷的量。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法更包含 用于该绝缘层之流回步骤以便使用一氢气与氧气 均匀地形成该绝缘层之表面,以及用于充电该底材 之一表面的升高区域与凹下区域间具有该绝缘层 之凹下区域。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一种晶层 系藉由提供约1比5.4至5.8的混合比之四乙基正矽酸 盐以及氧气来加以形成。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二种晶层 系藉由提供约1比0.2至0.3比5.4至5.8的混合比之四乙 基正矽酸盐、三乙基硼酸盐以及氧气来加以形成 。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该BPSG层系藉 由提供约1比0.2至0.3比0.09至0.12比5.4至5.8的混合比 之四乙基正矽酸盐、三乙基硼酸盐、三乙基磷酸 盐以及臭氧来加以形成。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化环境、 该第一种晶层、该第二种晶层与BPSG层系于一真空 的环境下加以形成,其中该真空环境系藉由以大约 1比1.8至2.2的混合比的氦气与氮气所提供。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘层系于 形成一蚀刻停止层后加以形成以便在蚀刻该绝缘 层在该底材上形成具有一视窗之绝缘层模式时防 止该底材因蚀刻而发生损害。 8.一种制造一半导体装置之方法,该方法包含以下 步骤: 于一底材上形成一蚀刻停止层用于防止该底材因 蚀刻而损害; 于该蚀刻停止层上形成一绝缘层,该绝缘层在一氧 化环境下包含一第一种晶层、一第二种晶层及一 BPSG层,且该绝缘层被加入约5.25~5.75%重量的硼与约2 .75~4.25重量%的磷; 流回该绝缘层以便均匀地形成该绝缘层之一表面 并且以该底材之上昇区域与凹下区域间的该绝缘 层同时地充电凹下区域;以及 蚀刻该绝缘层之一预定部份以便形成具有视窗之 一绝缘层模式,其曝露其下的蚀刻停止层表面。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该蚀刻停止层 系藉由氮化矽加以形成为具有约60至约140埃范围 的厚度。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该底材具有 上昇区域与凹下区域间,而该上昇区域与凹下区域 间系藉由闸极电极加以形成。 11.如申请专利范围第8项之方法,其中该底材具有 上昇区域与凹下区域间,而该上昇区域与凹下区域 间系藉由具有视窗的模式加以形成。 12.如申请专利范围第8项之方法,其中该绝缘层包 含以下的次步骤: 藉着提供一氧气来准备一氧化环境; 藉由提供约1比5.4至5.8的混合比之四乙基正矽酸盐 以及氧气以便在该底材上形成一第一种晶层; 藉由提供约1比0.2至0.3比5.4至5.8的混合比之四乙基 正矽酸盐、三乙基硼酸盐以及氧气以便在该第一 种晶层上形成第二种晶层;以及 藉由提供约1比0.2至0.3比0.09至0.12比5.4至5.8的混合 比之四乙基正矽酸盐、三乙基硼酸盐、三乙基磷 酸盐以及臭氧来形成一BPSG层于包括该第一种晶层 与该第二种晶层之该蚀刻停止层上; 其中该该氧化环境、该第一种晶层、该第二种晶 层与BPSG层系于一真空的环境下加以形成,其中该 真空环境系藉由以大约1比1.8至2.2的混合比的氦气 与氮气所提供。 13.如申请专利范围第8项之方法,其中该绝缘层系 加以形成为具有位于约9,000至10,000埃范围内的一 个厚度。 14.如申请专利范围第8项之方法,其中该绝缘层系 藉由具有CFx的蚀刻气体加以蚀刻。 图式简单说明: 图1A至图1F系为剖面图举例说明了一方法用于形成 根据本发明之一较佳具体实例的一个绝缘层; 图2系为一结构图显示了用于形成根据本发明之一 较佳具体实例之一绝缘层的一个设备; 图3系为一结构图叙述了图2中所显示的反应气体 的一个混合程序; 图4系为一图将各别步骤中于形成本发明的一个绝 缘层之一制程中所使用的材料加以分类; 图5与6系为图形显示了根据所加入的硼与磷量,因 流回所造成蚀刻停止层的厚度改变;以及 图7A至图7E系为剖面图叙述了用于制造如本发明之 一较佳具体实例之半导体装置的方法。 |
