| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体的 闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线, 和连接于汲极配线之画素电极等等之单位画素被 配列成二维之矩阵状之第1透明性绝缘基板,和于 对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘 基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显 示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面,形 成由1层以上之第1金属层所构成且于其侧面具有 绝缘层之扫描线;于前述扫描线上,形成1层以上之 闸极绝缘层;于闸极电极上之闸极绝缘层上,不含 不纯物之第1半导体层形成为岛状;于前述第1半导 体层上形成较闸极电极更细之保护绝缘层;于前述 保护绝缘层之一部分上与第1半导体层上,形成一 对包含不纯物之第2半导体层;于画像显示部外之 领域,于扫描线上之闸极绝缘层,形成开口部而露 出扫描线之一部分;于前述第2半导体层上与第1透 明性绝缘基板上,包含耐热金属层而形成1层以上 之可阳极氧化之金属层所构成之源极(信号线) 汲极配线,和包含前述开口部与开口部周边之第1 与第2半导体层形成相同之扫描线之电极端子;于 前述汲极配线之一部份与第1透明性绝缘基板上, 形成透明导电性之画素电极,在画像显示部外之领 域于信号线上,形成透明导电性之电极端子;除与 前述汲极配线之画素电极重叠之领域,和信号线之 电极端子领域以外,在源极汲极配线之表面上, 形成阳极氧化层。 2.一种液晶显示装置,系于一主面上于具有至少绝 缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体 之闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线 ,和连接于汲极配线之画素电极等等之单位画素被 配列成二维之矩阵状之第1透明性绝缘基板,和于 对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘 基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显 示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由1层以上之第1金属层所构成且于其侧面具 有绝缘层之扫描线,和透明导电性之画素电极与信 号线之电极端子;于前述扫描线上,形成1层以上之 闸极绝缘层;于闸极电极上之闸极绝缘层上,不含 不纯物之第1半导体层形成为岛状;于前述第1半导 体层上形成较闸极电极更细之保护绝缘层;于前述 保护绝缘层之一部分上与第1半导体层上,形成一 对包含不纯物之第2半导体层;于画像显示部外之 领域,于扫描线上之闸极绝缘层形成开口部,而露 出扫描线之一部分;包含前述开口部与开口部周边 之第1与第2半导体层形成透明导电性之扫描线电 极端子;于前述第2半导体层上与第1透明性绝缘基 板上,与前述信号线之电极端子一部分上,包含耐 热金属层而形成由1层以上之第2金属层所构成之 源极(信号线),而于前述第2半导体层上与第1透明 性绝缘基板上与前述画素电极之一部分上,同样形 成汲极配线;于前述源极汲极配线上,形成感光 性有机绝缘层。 3.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体之 闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线, 和连接于汲极配线之画素电极等等之单位画素被 配列成二维之矩阵状之第1透明性绝缘基板,和于 对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘 基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显 示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由透明导电层与第1金属层之层积所构成且于 其侧面具有绝缘层之扫描线和透明导电性之画素 电极与信号线之电极端子;于前述扫描线上,形成1 层以上之闸极绝缘层;于闸极电极上之闸极绝缘层 上,不含不纯物之第1半导体层形成为岛状;于前述 第1半导体层上形成较闸极电极更细之保护绝缘层 ;于前述保护绝缘层之一部分上与第1半导体层上, 形成一对包含不纯物之第2半导体层;于画像显示 部外之领域,去除扫描线上之闸极绝缘层与第1金 属层,而露出扫描线之电极端子所形成之透明导电 层;于前述第2半导体层上与第1透明性绝缘基板上, 与前述信号线之电极端子一部分上,包含耐热金属 层而形成由1层以上之第2金属层所构成之源极配 线(信号线)与前述第2半导体层上与第1透明性绝缘 基板上与前述画素电极之一部分上,同样形成汲极 配线;于前述源极汲极配线上,形成感光性有机 绝缘层。 4.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体之 闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线, 和连接于汲极配线之画素电极等等之单位画素被 配列成二维之矩阵状之第1透明性绝缘基板,和对 向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘基 板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显示 装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由透明导电层与第1金属层之层积所构成且于 其侧面具有绝缘层之扫描线和透明导电性之画素 电极;于前述扫描线上,形成1层以上之闸极绝缘层; 于闸极电极上之闸极绝缘层上,不含不纯物之第1 半导体层形成为岛状;于前述第1半导体层上形成 较闸极电极更细之保护绝缘层;于前述保护绝缘层 之一部分上与第1半导体层上,形成一对包含不纯 物之第2半导体层;于画像显示部外之领域,去除扫 描线上之闸极绝缘层与第1金属层,而露出扫描线 一部分之透明导电层;于前述第2半导体层上与第1 透明性绝缘基板上,与前述信号线之电极端子一部 分上,包含耐热金属层而形成1层以上之第2金属层 所构成之源极配线(信号线),于前述第2半导体层上 与第1透明性绝缘基板上与前述画素电极之一部分 上,同样包含汲极配线与前述扫描线之一部分而形 成同样之扫描线电极端子,于画像显示部外之领域 ,形成由信号线之一部分所构成之信号线电极端子 ;除前述信号线之电极端子上以外,于信号线上形 成感光性有机绝缘层。 5.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体之 闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线, 和连接于汲极配线之画素电极等等之单位画素被 配列成二维之矩阵状之第1透明性绝缘基板,和对 向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘基 板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显示 装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由透明导电层与第1金属层之层积所构成且于 其侧面具有绝缘层之扫描线和透明导电性之画素 电极;于前述扫描线上,形成1层以上之闸极绝缘层; 于闸极电极上之闸极绝缘层上,不含不纯物之第1 半导体层形成为岛状;于前述第1半导体层上形成 较闸极电极更细之保护绝缘层;于前述保护绝缘层 之一部分上与第1半导体层上,形成一对包含不纯 物之第2半导体层;于画像显示部外之领域,去除扫 描线上之闸极绝缘层与第1金属层,而露出扫描线 一部分之透明导电层;于前述第2半导体层上与第1 透明性绝缘基板上,包含耐热金属层而形成由1层 以上之可阳极氧化之金属层所构成之源极配线(信 号线),于前述保护绝缘层之一部分上与第1半导体 层上与第1透明性绝缘基板上与前述画素电极之一 部分上,包含相同之汲极配线与前述扫描线之一部 分而同样形成扫描线之电极端子,于画像显示部外 之领域,形成由信号线之一部分所构成之信号线之 电极端子;除前述信号线之电极端子上以外而于源 极汲极配线上,形成阳极氧化层。 6.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体之 闸极电极之扫描线,与亦兼具源极配线之信号线, 和连接于前述绝缘闸极型电晶体之汲极之画素电 极,和与前述画素电极间隔特定之距离所形成之对 向电极等等之单位画素被配列成二维矩阵状之第1 透明性绝缘基板,和对向于前述第1透明性绝缘基 板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间,填 充液晶而成之液晶显示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由1层以上之第1金属层所构成且于其侧面具 有绝缘层之扫描线和对向电极;于前述扫描线上和 对向电极上,形成1层以上之闸极绝缘层;于闸极电 极上之闸极绝缘层上,不含不纯物之第1半导体层 形成为岛状;于前述第1半导体层上形成较闸极电 极更细之保护绝缘层;于前述保护绝缘层之一部分 上与第1半导体层上,形成一对包含不纯物之第2半 导体层;于画像显示部外之领域,于扫描线上之闸 极绝缘层形成开口部,而露出扫描线之一部分;于 前述第2半导体层上与第1透明性绝缘基板上,包含 耐热金属层而形成由1层以上之第2金属层所构成 之源极(信号线)汲极配线(画素电极);包含前述 开口部与开口部周围之第1与第2半导体层而形成 相同之扫描线之电极端子,于画像显示部外之领域 ,形成由信号线之一部分所构成之信号线之电极端 子;除前述信号线之电极端子上以外而于信号线上 ,形成感光性有机绝缘层。 7.一种液晶显示装置,系于一主面上具有至少绝缘 闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极型电晶体之 闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线之信号线, 和连接于前述绝缘闸极型电晶体之汲极之画素电 极,和与前述画素电极间隔特定之距离所形成之对 向电极等等之单位画素被配列成二维矩阵状之第1 透明性绝缘基板,与对向于前述第1透明性绝缘基 板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间,填 充液晶而成之液晶显示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 形成由1层以上之第1金属层所构成且于其侧面具 有绝缘层之扫描线和对向电极;于前述扫描线上和 对向电极上,形成1层以上之闸极绝缘层;于闸极电 极上之闸极绝缘层上,不含不纯物之第1半导体层 形成为岛状;于前述第1半导体层上形成较闸极电 极更细之保护绝缘层;于前述保护绝缘层之一部分 上与第1半导体层上,形成一对包含不纯物之第2半 导体层;于画像显示部外之领域,于扫描线上之闸 极绝缘层形成开口部,而露出扫描线之一部分;于 前述第2半导体层上与第1透明性绝缘基板上,包含 耐热金属层而形成由1层以上之可阳极氧化之金属 层所构成之源极配线(信号线)汲极配线(画素电 极);和包含前述开口部与开口部周边之第1与第2半 导体层而同样形成扫描线之电极端子,于画像显示 部外之领域,形成由信号线之一部分所构成之信号 线之电极端子;除前述信号线之电极端子上以外而 于源极汲极配线上,形成阳极氧化层。 8.如申请专利范围第1项,第2项,第3项,第4项,第5项, 第6项或第7项所记载之液晶显示装置,其中,形成于 扫描线之侧面之绝缘层为有机绝缘层。 9.如申请专利范围第1项,第2项,第6项或第7项所记 载之液晶显示装置,其中,第1金属层系由可阳极氧 化之金属所形成,形成于扫描线之侧面之绝缘层为 阳极氧化层。 10.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上于 具有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸 极型电晶体之闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配 线之信号线,和连接于汲极配线之画素电极等等之 单位画素被配列成二维矩阵状之第1透明性绝缘基 板,和对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性 绝缘基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液 晶显示装置之制造方法,其特征系至少于第1透明 性绝缘基板之一主面上,具有:依序覆盖1层以上之 第1金属层与1层以上之闸极绝缘层与不含不纯物 之第1非晶矽层与保护绝缘层之工程;和选择性形 成成为绝缘闸极型电晶体的通道保护层之保护绝 缘层,而露出前述第1非晶矽层之工程;和覆盖包含 不纯物之第2非晶矽层的工程;和对应于扫描线,于 画像显示部外之领域,形成扫描线之接触形成领域 上之膜厚,比其他领域更薄之感光性树脂图案之工 程;和将前述感光性树脂图案作为遮罩,而依序蚀 刻前述第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层 与第1金属层之工程;和减少前述感光性树脂图案 之膜厚,而露出接触形成领域上之第2非晶矽层之 工程;和于扫描线之侧面形成绝缘层之工程;和将 减少前述膜厚之感光性树脂图案作为遮罩,蚀 刻接触领域内之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸 极绝缘层,而露出扫描线之一部分之工程;和包含 耐热金属层且覆盖1层以上之可阳极氧化之金属层 之后,以与前述保护绝缘层一部分重叠的方式,形 成源极(信号线)汲极,与包含扫描线之一部分之 扫描线电极端子之工程;和于前述第1透明性绝缘 基板上与汲极配线之一部份上,形成透明导电性之 画素电极,在画像显示部外之领域于信号线上形成 透明导电性之电极端子,于前述扫描线之电极端子 上,形成透明导电性之电极端子之工程;将用于前 述画素电极与电极端子之选择性图案形成之感光 性树脂图案作为遮罩,而保护透明导电性之画素电 极与透明导电性之电极端子,同时阳极氧化源极 汲极配线之工程。 11.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于汲极配线的画素电极之单位画 素被配列成二维矩阵状之第1透明性绝缘基板,和 对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝缘 基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶显 示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖1层以上之第1金属层与1层以上之闸 极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护绝缘 层之工程;和选择性形成作为绝缘闸极型电晶体的 通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽层之 工程;和覆盖含不纯物之第2非晶矽层;和对应于扫 描线,在画像显示部外之领域,形成扫描线之接触 形成领域上之膜厚比其他领域更薄之感光性树脂 图案之工程;和将前述感光性树脂图案作为遮罩, 而依序蚀刻前述第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸 极绝缘层与第1金属层之工程;和减少前述感光性 树脂图案之膜厚,而露出接触形成领域上之第2非 晶矽层之工程;和于扫描线之侧面形成绝缘层之工 程;和将减少前述膜厚之感光性树脂图案作为遮罩 ,蚀刻接触领域内之第2非晶矽层与第1非晶矽层与 闸极绝缘层,而露出扫描线之一部分之工程;和于 前述第1透明性绝缘基板上,形成透明导电性之画 素电极,与信号线之电极端子,与包含前述扫描线 之一部分之扫描线电极端子之工程;和包含耐热金 属层且覆盖1层以上之第2金属层之后,以与前述保 护绝缘层部分重叠的方式,而包含信号线之电极端 子之一部分,而于其表面形成具有感光性有机 绝缘层之源极配线(信号线),与同样包含画素电极 之一部分,而于其表面具有感光性有机绝缘层之汲 极配线之工程。 12.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于汲极配线之画素电极等等之单 位画素被配列成二维矩阵状之第1透明性绝缘基板 ,和于对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性 绝缘基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液 晶显示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖透明导电层与第1金属层与1层以上 之闸极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护 绝缘层之工程;和选择性形成作为绝缘闸极型电晶 体之的通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶 矽层之工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层的 工程;和对应于扫描线与画素电极及扫描线与信号 线之电极端子,于画素电极上与画像显示部外之领 域,形成扫描线与信号线之电极端子形成领域上之 膜厚比其他领域更薄之感光性树脂图案之工程;和 将前述感光性树脂图案作为遮罩,而依序蚀刻前述 第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金 属层与透明导电层之工程;和减少前述感光性树脂 图案之膜厚,而露出画素电极上与扫描线与信号线 之电极端子形成领域上之第2非晶矽层之工程;和 于扫描线之侧面形成绝缘层之工程;和将减少前述 膜厚之感光性树脂图案作为遮罩,蚀刻画素电极上 与扫描线与信号线之电极端子形成领域上之第2非 晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层, 而露出透明导电性之画素电极与扫描线之电极端 子与信号线之电极端子之工程;和包含耐热金属层 且覆盖1层以上之第2金属层之后,以与前述保护 绝缘层部分重叠的方式,而形成包含信号线之电极 端子之一部分,而于其表面具有感光性有机绝缘层 之源极配线(信号线),与同样包含画素电极之一部 分,而于其表面具有感光性有机绝缘层之汲极配线 之工程。 13.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼具前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于汲极配线之画素电极等等之单 位画素被配列成二维矩阵状之第1透明性绝缘基板 ,和于对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性 绝缘基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液 晶显示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖透明导电层与第1金属层与1层以上 之闸极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护 绝缘层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶 体的通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽 层之工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工 程;和对应于扫描线与画素电极及扫描线与信号线 之电极端子,于画素电极上与画像显示部外之领域 ,形成扫描线之电极端子形成领域上之膜厚比其他 领域更薄之感光性树脂图案之工程;和减少前述感 光性树脂图案之膜厚,而露出画素电极上与扫描线 之电极端子形成领域上之第2非晶矽层之工程;和 于扫描线之侧面形成绝缘层之工程;和将减少前述 膜厚之感光性树脂图案作为遮罩,蚀刻画素电极上 与扫描线之电极端子形成领域上之第2非晶矽层与 第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层,而露出透 明导电性之画素电极与扫描线之一部分之工程;和 包含耐热金属层且覆盖1层以上之第2金属层之后, 以与前述保护绝缘层部分重叠的方式,对应于源极 配线(信号线),同样包含画素电极之一部分之汲极 配线,与包含前述扫描线之一部分之扫描线的电极 端子,与在画像显示部外之领域而由信号线 之一部分所形成之信号线之电极端子,形成信号线 上之膜厚比其他领域更厚之感光性有机绝缘层图 案之工程;和将前述感光性有机绝缘层图案作为遮 罩,而选择性去除第2金属层与第2非晶矽层与第1非 晶矽层,而形成源极汲极配线与扫描线与信号线 之电极端子之工程;和减少前述感光性有机绝缘层 图案之膜厚,而露出汲极配线与扫描线与信号线之 电极端子之工程。 14.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于汲极配线之画素电极等等之单 位画素被配列成二维矩阵状之第1透明性绝缘基板 ,和对向于前述第1透明性绝缘基板之第2透明性绝 缘基板或是彩色滤光片之间,填充液晶而成之液晶 显示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖透明导电层与第1金属层与1层以上 之闸极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护 绝缘层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶 体的通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽 层之工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工 程;和对应于扫描线与画素电极及扫描线之电极端 子,于画素电极上与画像显示部外之领域,形成扫 描线之电极端子形成领域上之膜厚比其他领域更 薄之感光性树脂图案之工程;和将前述感光性树脂 图案作为遮罩,而依序蚀刻前述第2非晶矽层与第1 非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层与透明导电层 之工程;和减少前述感光性树脂图案之膜厚,而露 出画素电极上与扫描线之电极端子形成领域上之 第2非晶矽层之工程;和于扫描线之侧面形成绝缘 层之工程;和将减少前述膜厚之感光性树脂图案作 为遮罩,蚀刻画素电极上与扫描线之电极端子形成 领域上之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘 层与第1金属层,而露出透明导电性之画素电极与 扫描线之一部分之工程;和包含耐热金属层且覆盖 1层以上之可阳极氧化之金属层之后,以与前述保 护绝缘层部分重叠的方式,对应于源极配线(信号 线) ,与同样包含画素电极之一部分之汲极配线,与包 含前述扫描线之一部分之扫描线之电极端子,与在 画像显示部外之领域而由信号线之一部分所形成 之信号线电极端子,形成扫描线与信号线之电极端 子上之膜厚比其他领域更厚之感光性树脂图案之 工程;和将前述感光性树脂图案作为遮罩,而选择 性去除可阳极氧化之金属层与第2非晶矽层与第1 非晶矽层,而形成源极汲极配线与扫描线与信号 线之电极端子之工程;和减少前述感光性树脂图案 之膜厚,而露出源极汲极配线与扫描线与信号线 之电极端子之工程;和保护前述电极端子上,同时 阳极氧化源极汲极配线之工程。 15.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体之闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于前述绝缘闸极型电晶体的汲极 之画素电极,和与前述画素电极间隔特定距离所形 成之对向电极等等之单位画素被配列成二维矩阵 状之第1透明性绝缘基板,和对向于前述第1透明性 绝缘基板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光片之 间,填充液晶而成之液晶显示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖1层以上之第1金属层与1层以上之闸 极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护绝缘 层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶体的 通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽层之 工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工程;和 对应于扫描线与对向电极,选择性蚀刻前述第2非 晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层 之工程;和于扫描线与对向电极之侧面,形成绝缘 层之工程;和于画像显示部外之领域,蚀刻扫描线 之接触领域上之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸 极绝缘层,而选择性露出扫描线之一部分之工程; 和包含耐热金属层且覆盖1层以上之第2金属层之 后,以与前述保护绝缘层部分重叠的方式,对应于 源极配线(信号线)汲极配线(画素电极),与包含 前述扫描线一部分,在画像显示部外之领域而由信 号线之一部分之扫描线的电极端子所构之信号线 之电极端子,形成信号线上之膜厚比其他领域更厚 之感光性有机绝缘层图案之工程;和将前述感光性 有机绝缘层图案作为遮罩,而选择性去除第2金属 层与第2非晶矽层与第1非晶矽层,而形成源极汲 极配线,与扫描线与信号线之电极端子之工程;和 减少前述感光性有机绝缘层图案之膜厚,而露出汲 极配线与扫描线与信号线之电极端子之工程。 16.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于前述绝缘闸极型电晶体的汲极 之画素电极,和与前述画素电极间隔特定之距离所 形成之对向电极等等之单位画素被配列成二维矩 阵状之第1透明性绝缘基板,和对向于前述第1透明 性绝缘基板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光片 之间,填充液晶而成之液晶显示装置; 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖1层以上之第1金属层与1层以上之闸 极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护绝缘 层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶体的 通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽层之 工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工程;和 对应于扫描线与对向电极,选择性蚀刻前述第2非 晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层 之工程;和于扫描线与对向电极之侧面,形成绝缘 层之工程;和于画像显示部外之领域,蚀刻扫描线 之接触领域上之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸 极绝缘层,而选择性露出扫描线之一部分之工程; 和包含耐热金属层且覆盖1层以上之可阳极氧化之 金属层之后,以与前述保护绝缘层一部分重叠的方 式,对应于源极配线(信号线)汲极配线(画素电极 ),与包含前述扫描线一部分之扫描线电极端子,与 包含信号线一部分之信号线电极端子,形成前述电 极端子之膜厚比其他领域更厚之感光性树脂图案 之工程;和将前述感光性树脂图案作为遮罩,而选 择性去除可阳极氧化之金属层与第2非晶矽层与第 1非晶矽层,而形成源极汲极配线,与扫描线与信 号线之电极端子之工程;和减少前述感光性树 脂图案之膜厚,而露出源极汲极配线之工程;和 保护前述电极端子上,同时阳极氧化源极汲极配 线之工程。 17.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上于 具有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸 极型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配 线之信号线,和连接于前述绝缘闸极型电晶体的汲 极之画素电极,和与前述画素电极间隔特定之距离 所形成之对向电极等等之单位画素被配列成二维 矩阵状之第1透明性绝缘基板,和对向于前述第1透 明性绝缘基板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光 片之间,填充液晶而成之液晶显示装置之制造方法 , 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖1层以上之第1金属层与1层以上之闸 极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护绝缘 层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶体的 通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽层之 工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工程;和 对应于扫描线与对向电极,于画像显示部外之领域 ,形成扫描线之接触形成领域上之膜厚比其他领域 更薄之感光性树脂图案之工程;和将前述感光性树 脂图案作为遮罩,而依序蚀刻前述第2非晶矽层与 第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层之工程;和 减少前述感光性树脂图案之膜厚,而露出接触形成 领域上之第2非晶矽层之工程;和于扫描线与对向 电极之侧面,形成绝缘层之工程;和将减少前述膜 厚之感光性树脂图案作为遮罩,蚀刻前述接触形成 领域之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层, 而露出扫描线之一部分之工程;和包含耐热金属层 且覆盖1层以上之第2金属层之后,以与前述保护绝 缘层部分重叠的方式,对应于源极配线(信号线) 汲极配线(画素电极),与包含前述扫描线一部分而 于扫描线之电极端子与画像显示部外之领域,由信 号线之一部分所构成之信号线电极端子, 形成信号线上之膜厚比其他领域更厚之感光性有 机绝缘层图案之工程;和将前述感光性有机绝缘层 图案作为遮罩,而选择性去除第2金属层与第2非晶 矽层与第1非晶矽层,而形成源极汲极配线,与扫 描线与信号线之电极端子之工程;和减少前述感光 性有机绝缘层图案之膜厚,而露出汲极配线与扫描 线与信号线之电极端子之工程。 18.一种液晶显示装置之制造方法,系于一主面上具 有至少绝缘闸极型电晶体,和亦兼作前述绝缘闸极 型电晶体的闸极电极之扫描线,与亦兼作源极配线 之信号线,和连接于前述绝缘闸极型电晶体之汲极 之画素电极,和与前述画素电极间隔特定之距离所 形成之对向电极等等之单位画素被配列成二维矩 阵状之第1透明性绝缘基板,和对向于前述第1透明 性绝缘基板之第2透明性绝缘基板或是彩色滤光片 之间,填充液晶而成之液晶显示装置之制造方法, 其特征系至少于第1透明性绝缘基板之一主面上, 具有:依序覆盖1层以上之第1金属层与1层以上之闸 极绝缘层与不含不纯物之第1非晶矽层与保护绝缘 层之工程;和选择性形成成为绝缘闸极型电晶体的 通道保护层之保护绝缘层,而露出第1非晶矽层之 工程;和覆盖包含不纯物之第2非晶矽层之工程;和 对应于扫描线与对向电极,于画像显示部外之领域 ,形成扫描线之接触形成领域上之膜厚比其他领域 更薄之感光性树脂图案之工程;和将前述感光性树 脂图案作为遮罩,而依序蚀刻前述第2非晶矽层与 第1非晶矽层与闸极绝缘层与第1金属层之工程;和 减少前述感光性树脂图案之膜厚,而露出接触形成 领域上之第2非晶矽层之工程;和于扫描线与对向 电极之侧面,形成绝缘层之工程;和将减少前述膜 厚之感光性树脂图案作为遮罩,蚀刻前述接触形成 领域之第2非晶矽层与第1非晶矽层与闸极绝缘层, 而露出扫描线之一部分之工程;和包含耐热金属层 且覆盖1层以上之可阳极氧化之金属层之后,以与 前述保护绝缘层部分重叠的方,对应于源极配线( 信号线)汲极配线(画素电极),与包含前述扫描线 一部分之扫描线电极端子,与包含信号线一部分之 信号线电极端子,形成前述电极端子之膜 厚比其他领域更厚之感光性树脂图案之工程;和将 前述感光性树脂图案作为遮罩,而选择性去除可阳 极氧化之金属层与第2非晶矽层与第1非晶矽层,而 形成源极汲极配线,与扫描线与信号线之电极端 子之工程;和减少前述感光性树脂图案之膜厚,而 露出源极汲极配线之工程;和保护前述电极端子 上,同时阳极氧化源极汲极配线之工程。 19.如申请专利范围第10项,第11项,第12项,第13项,第 14项,第15项,第16项,第17项或第18项所记载之液晶显 示装置之制造方法,其中,形成于扫描线之侧面之 绝缘层为有机绝缘层,藉由电着法形成。 20.如申请专利范围第10项,第11项,第15项,第16项,第 17项或第18项所记载之液晶显示装置之制造方法, 其中,第1金属层系藉由可阳极氧化之金属层所形 成,形成于扫描线之侧面之绝缘层系以阳极氧化所 形成。 图式简单说明: 图1为表示本发明之实施例1显示装置用半导体装 置之平面图。 图2为表示本发明之实施例1显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图3为表示本发明之实施例2显示装置用半导体装 置之平面图。 图4为表示本发明之实施例2显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图5为表示本发明之实施例3显示装置用半导体装 置之平面图。 图6为表示本发明之实施例3显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图7为表示本发明之实施例4显示装置用半导体装 置之平面图。 图8为表示本发明之实施例4显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图9为表示本发明之实施例5显示装置用半导体装 置之平面图。 图10为表示本发明之实施例5显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图11为表示本发明之实施例6显示装置用半导体装 置之平面图。 图12为表示本发明之实施例6显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图13为表示本发明之实施例7显示装置用半导体装 置之平面图。 图14为表示本发明之实施例7显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图15为表示本发明之实施例8显示装置用半导体装 置之平面图。 图16为表示本发明之实施例8显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图17为表示本发明之实施例9显示装置用半导体装 置之平面图。 图18为表示本发明之实施例9显示装置用半导体装 置之制造工程剖面图。 图19为表示为于实施例1和实施例2之绝缘层形成之 连接图案之配置图。 图20为表示为于实施例3,实施例4及实施例5之绝缘 层形成之连接图案之配置图。 图21为表示为于实施例6和实施例7之绝缘层形成之 连接图案之配置图。 图22为表示为于实施例8和实施例9之绝缘层形成之 连接图案之配置图。 图23为表示液晶基板之安装状态之斜视图。 图24为表示液晶基板之等效电路图。 图25为表示液晶基板之重点剖面图。 图26为表示传统例之主动基板之剖面图。 图27为表示传统例之主动基板之制造工程剖面图 。 图28为表示合理化之主动基板之剖面图。 图29为表示合理化之主动基板之制造工程剖面图 。 |
