发明名称 适应性可变长度记忆体管理方法
摘要 本发明系为一种适应性可变长度记忆体管理方法,其使用一适应性杂凑表以记录复数个记忆体描述子,该记忆体描述子具有空白、使用中及不使用三种状态,首先依据记忆体配置需求,在杂凑表中找一最适合的空白状态记忆体描述子,再取得其相关资讯,以将该空白记忆体描述子转为使用中记忆体描述子,其次将该使用中记忆体描述子指向已配置且可回应该记忆体配置需求之记忆体,并另取一不使用记忆体描述子,将之转为空白记忆体描述子,该空白记忆体描述子指向未配置之记忆体;最后依据该空白记忆体描述子,更新该适应性杂凑表。
申请公布号 TWI247214 申请公布日期 2006.01.11
申请号 TW091133659 申请日期 2002.11.18
申请人 财团法人资讯工业策进会 发明人 李基民
分类号 G06F12/06 主分类号 G06F12/06
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 1.一种适应性可变长度记忆体管理方法,系应用于 一嵌入式系统以配置及释放该嵌入式系统之记忆 体,其使用一适应性杂凑表以记录复数个记忆体描 述子,该记忆体描述子具有空白(SPACE)、使用中( InUse)及不使用(NoUse)三种状态以描述该记忆体使用 状态,其中,SPACE记忆体描述子系描述一尚未被配置 之记忆体区块,InUse记忆体描述子系描述一已被配 置之记忆体区块,NoUse记忆体描述子系描述该记忆 体描述子未被使用,方法主要包括下述步骤: (A)依据该嵌入式系统之记忆体配置需求,在该适应 性杂凑表中找一最适合的SPACE状态之记忆体描述 子; (B)由该适应性杂凑表中取得该SPACE记忆体描述子 之相关资讯; (C)将该SPACE记忆体描述子转为InUse记忆体描述子, 该InUse记忆体描述子指向已配置且可回应该记忆 体配置需求之记忆体; (D)由该适应性杂凑表中另取一NoUse记忆体描述子, 并将之转为SPACE记忆体描述子,该SPACE忆体描述子 指向剩下未配置之记忆体;以及 (E)依据步骤(D)中之SPACE记忆体描述子,更新该适应 性杂凑表之内容。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,如步骤(A )为嵌入式系统之记忆体释放需求,更执行下述步 骤: (F)判断该欲释放记忆体区块之低位置记忆体区块 之使用状态; (G)如该低位置记忆体区块为使用中,判断该欲释放 记忆体区块其高位置记忆体区块之使用状态;及 (H)如该高位置记忆体区块为使用中,将欲释放记忆 体之InUse记忆体描述子转换为SPACE记忆体描述子。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,如步骤(G )判定该高位置记忆体区块为非使用中,更执行下 述步骤: (I)将欲释放记忆体之InUse记忆体描述子转换为SPACE 记忆体描述子,并修改其所描述记忆体区块之大小 ,以包含该高位置记忆体区块,并将该高位置记忆 体区块之SPACE记忆体描述子转换为NoUse记忆体描述 子。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,如步骤(F )判定该低位置记忆体区块为非使用中,更执行下 述步骤: (J)判断该欲释放记忆体区块之高位置记忆体区块 之使用状态;以及 (K)如该高位置记忆体区块为使用中,将欲释放记忆 体之InUse记忆体描述子转换为转换为NoUse记,忆体 描述子,并将该低位置记忆体区块之SPACE记忆体描 述子修改其所描述记忆体区块之大小,以包含该欲 释放记忆体区块。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中,如步骤(J )判定该高位置记忆体区块为非使用中,更执行下 述步骤: (L)将欲释放记忆体之InUse记忆体描述子转换为SPACE 记忆体描述子,并修改其所描述记忆体区块之大小 ,以包含该高位置记忆体区块,且将该高位置记忆 体区块之SPACE记忆体描述子转换为NoUse记忆体描述 子;以及 (M)将欲释放记忆体之SPACE记忆体描述子转换为NoUse 记忆体描述子,将该低位置记忆体区块之SPACE记忆 体描述子修改其所描述记忆体区块之大小,以包含 该欲释放记忆体区块。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含下述 步骤: (N)对该SPACE记忆体描述子依其特征进行分类; (O)对使用频率超过一特定値之该SPACE记忆体描述 子缩小其分类之间距,以提高分类精确度,降低搜 寻时间;以及 (P)对使用频率未超过该特定値之该SPACE记忆体描 述子扩大其分类之间距,以储存空间。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该SPACE记 忆体描述子之特征为其所描述记忆体区块之大小 。 图式简单说明: 第1图系习知之记忆体管理方法用于记忆体配置时 所产生之记忆体碎片之示意图。 第2图系本发明之适应性可变长度记忆体管理方法 用于记忆体配置时之示意图。 第3图系本发明之记忆体配置的流程图。 第4图系本发明之记忆体释放的流程图。 第5图系本发明之记忆体释放之一范例的示意图。 第6图系本发明之记忆体释放之另一范例的示意图 。 第7图系本发明之记忆体释放之又一范例的示意图 。 第8图系本发明之记忆体释放之再一范例的示意图 。
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