| 主权项 |
1.一种将有机层沉积在基材上制造OLED装置之方法, 包括之步骤为: (a)提供一种具有与OLED基材转化关系之可转移有机 材料之供体元件; (b)形成实质上均匀之直线雷射光束; (c)提供回应直线雷射光束且适于形成多通道直线 雷射光束之立体光调节器; (d)独立调节选择之通道,形成一或多种雷射光束段 ,其中各段均包含一或多道雷射光束通道,且另外 其中之雷射光束段在第一方向具有实质上正方形 之强度轮廓,且在与第一方向垂直之第二方向上具 有实质高斯(Gaussian)强度轮廓,且系引导到供体元 件上;及 (e)因回应调节段之光产生热,使有机材料热转移至 基材之选择表面上之供体元件。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中之雷射光束系 以单一雷射或许多个多模发射器提供。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中之均匀雷射光 束系藉由光学合并由许多个多模发射器提供之雷 射光形成,以提供实质均匀之直线雷射光束。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中之立体光调节 器为全部内反射之调节器。 5.如申请专利范围第1项之方法,尚包含使供体元件 相对于基材固定,且依实质上与多通道直线雷射光 束垂直之方向,在多通道直线雷射光束与固定之基 材/供体元件间相对移动,沿着预定之第一直线路 径沉积有机材料。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中之固定基材/ 供体元件在多通道雷射光束移动时为静止。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中当基材上许多 预定之第一位置已经接受沉积之有机材料后,多通 道直线雷射光束及固定之基材/供体元件间之相对 位置改变至第二位置,使得预定之第二直线路径中 沉积之有机材料与第一预定直线路径分离,使有机 材料沉积于先前并未沉积之基材上之预定第二位 置中。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中OLED沉积系在 低压或大气压下进行。 9.一种将有机层沉积在基材上,制造OLED装置之方法 包括之步骤为: (a)提供许多具有不同有机材料及依与OLED基材顺序 关系配置供体元件之供体元件; (b)形成实质上均匀之直线雷射光束; (c)提供回应直线雷射光束且适于形成多通道直线 雷射光束之立体光调节器; (d)独立调节选择之通道,形成一或多种雷射光束段 其中各段均包含一或多道雷射光束通道,且另外其 中之雷射光束段在第一方向具有实质上正方形之 强度轮廓,且在与第一方向垂直之第二方向上具有 实质高斯(Gaussian)强度轮廓,且系引导到供体元件 上; (e)因回应调节段之光产生热,使有机材料热转移至 基材之选择表面上之供体元件及 (f)针对不同之供体元件重复步骤(d)及(e),在相当于 不同颜色像素之基材上形成有机层。 10.一种在制造OLED装置中将有机层沉积在基材上用 之雷射列印头,包括: (a)提供具有依与OLED基材转移之关系之可转移有机 材料之供体元件; (b)形成实质上均匀之直线雷射光束之设备; (c)提供回应直线雷射光束且适于形成多通道直线 雷射光束之立体光调节器; (d)独立调节选择之通道,形成一或多种雷射光束段 之设备,其中各段均包含一或多道雷射光束通道, 且另外其中之雷射光束段在第一方向具有实质上 正方形之强度轮廓,且在与第一方向垂直之第二方 向上具有实质高斯(Gaussian)强度轮廓,且系引导到 供体元件上;及 (e)因回应调节段之光产生热,使有机材料热转移至 基材之选择表面上之供体元件。 图式简单说明: 图1为适用于本发明之雷射列印头(先前技艺)之放 大图。 图2a为均匀之直线雷射光束之剖面图及其二次元 强度分布。 图2b为经立体调节或切片之均匀直线雷射光束之 剖面图及其二次元强度分布。 图3为适用于本发明之供体元件之剖面图。 图4a为使与依据本发明之经调节多通道直线雷射 光束结合之固定基材/供体元件照射之列印机之剖 面图; 图4b为使与依据本发明之经调节多通道直线雷射 光束结合之固定基材/供体元件照射之更详细剖面 图; 图5为显示本发明雷射列印头及微配置装置之设备 之第一具体例上视图; 图6为装置控制逻辑系统之方块图; 图7a为以图案照射供体元件之雷射列印头之上视 图; 图7b为以图案照射供体元件之雷射列印头之上视 图; 图8为依据本发明之方法制备之成像基材之平面图 ; 图9为显示本发明步骤之方块图; 图10为显示在有机物质自供体移转,于OLED装置中形 成层之过程中,依固定基材/供体元件结合使供体 元件及基材并在一起之本发明设备用途之剖面图 。 图11a为显示依据本发明之多雷射列印头及微配置 装置之设备另一具体例之剖面图。 图11b为显示依据本发明之多雷射列印头及微配置 装置之设备另一具体例之剖面图。 |
