| 主权项 |
1.一种去乾蚀刻后残留物之清洗溶液,该溶液至少 包括:一N-烷基胺醇化合物、一金属腐蚀抑制剂、 一极性溶剂及一羟胺(NH2OH)溶液,其中该N-烷基胺醇 化合物之比例范围为5wt%至80wt%、该金属腐蚀抑制 剂之比例范围为1wt%至70wt%。 2.如申请专利范围第1项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该N-烷基胺醇化合物系选自N-甲 基乙胺醇、N, N-二甲基乙胺醇、N-乙基乙胺醇、N- 甲基,N-乙基乙胺醇、N, N-二乙基乙胺醇所组之族 群。 3.如申请专利范围第1项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该金属腐蚀抑制剂系选自乙醇、 乙二醇、丙醇、1, 2-丙二醇、甲酸乙酯、乙酸乙 酯、丙酸乙酯、醋酸氨、乙胺醇、乙二胺与儿茶 酚所组之族群。 4.如申请专利范围第1项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该极性溶液系选自二甲亚、丙 二醇单甲醚、N, N-二甲基乙醯胺、乙二醇与1, 2-丙 二醇所组之族群。 5.如申请专利范围第5项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该极性溶液之重量范围为5wt%至50 wt%。 6.如申请专利范围第1项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该NH2OH溶液为含水量50%之水溶液 。 7.如申请专利范围第1项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该NH2OH溶液之比例范围为10wt%至50 wt%。 8.一种去乾蚀刻后残留物之清洗溶液,该溶液至少 包括:一N-烷基胺醇化合物、一金属腐蚀抑制剂,其 中该N-烷基胺醇化合物与该金属腐蚀抑制剂的组 成比値范围为0.01~85。 9.如申请专利范围第8项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该N-烷基胺醇化合物系选自N-甲 基乙胺醇、N, N-二甲基乙胺醇、N-乙基乙胺醇、N- 甲基,N-乙基乙胺醇、N, N-二乙基乙胺醇所组之族 群。 10.如申请专利范围第8项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,其中该金属腐蚀抑制剂系选自乙醇、 乙二醇、丙醇、1, 2-丙二醇、甲酸乙酯、乙酸乙 酯、丙酸乙酯、醋酸氨、乙胺醇、乙二胺与儿茶 酚所组之族群。 11.如申请专利范围第8项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,更包括一极性溶液,该极性溶液系选 自二甲亚、丙二醇单甲醚、N, N-二甲基乙醯胺 、乙二醇与1, 2-丙二醇所组之族群。 12.如申请专利范围第8项所述之去乾蚀刻后残留物 之清洗溶液,更包括一羟胺溶液,该羟胺溶液为含 水量50%之水溶液。 13.一种去乾蚀刻后残留物之清洗方法,其至少包括 下列步骤: 提供一晶圆,该晶圆上具有经乾蚀刻后之一图案, 该图案表面上具有一高分子残留物;以及 以至少包括一N-烷基胺醇化合物、一金属腐蚀抑 制剂、一极性溶剂及一羟胺(NH2OH)溶液之一清洗溶 液移除该高分子残留物,其中该N-烷基胺醇化合物 之比例范围为5wt%至80wt%、该金属腐蚀抑制剂之比 例范围为1wt%至70wt%。 14.如申请专利范围第13项所述之去乾蚀刻后残留 物之清洗方法,其中该清洗溶液之操作温度系介于 50℃至100℃。 15.如申请专利范围第13项所述之去乾蚀刻后残留 物之清洗方法,其中该清洗溶液之操作时间为1分 钟至60分钟。 16.如申请专利范围第13项所述之去乾蚀刻后残留 物之清洗方法,其中该清洗溶液之操作压力为0.5大 气压至2.5大气压。 17.如申请专利范围第13项所述之去乾蚀刻后残留 物之清洗方法,其中该清洗溶液之操作方式为浸泡 、喷洒或旋转喷洒。 图式简单说明: 第1图所绘示之未经过清洁溶液处理前之金属导体 图案的扫瞄式电子显微镜(scanning electron microsocope, SEM)照相图。 第2图所绘示为以实验例1之清洗溶液处理后之金 属导体图案的扫瞄式电子显微镜照相图。 第3图所绘示为以比较例1之清洗溶液处理后之金 属导体图案的扫瞄式电子显微镜照相图。 第4图所绘示之未经过清洁溶液处理前之接触窗洞 的扫瞄式电子显微镜照相图。 第5图所绘示为以实验例2之清洗溶液处理后之接 触窗洞的扫瞄式电子显微镜照相图。 第6图所绘示为以比较例2之清洗溶液处理后之接 触窗洞的扫瞄式电子显微镜照相图。 第7图所绘示为N-烷基胺醇与金属腐蚀抑制剂在不 同组成比之情况下,对钛金属之蚀刻率。 第8A图至第8C图则分别绘示以N-烷基胺醇与金属腐 蚀抑制剂之组成比为1:0、0.45:0.55与0:1时之清洗溶 液处理后之接触窗洞的扫描式电子显微镜照相图 。 |
