| 主权项 |
1.一种薄膜沈积装置,其系藉由以一次一种之方式 向一反应室供应复数种来源气体而于一基板上形 成一薄膜之薄膜沈积装置,包括: 一个或复数之供应通道,连接至该反应室以向该反 应室供应该等来源气体的每个及一惰性气体; 复数之来源气体供应开口,设置于该供应通道,用 以向该供应通道供应该等来源气体之每个;以及 复数之来源气体阀,用以打开与闭合该供应通道内 的该来源气体供应开口。 2.如申请专利范围第1项之薄膜沈积装置,其中该来 源气体阀系为隔膜阀。 3.如申请专利范围第1项之薄膜沈积装置,其中该等 来源气体包括第一来源气体与第二来源气体,且该 惰性气体包括不与该第一来源气体反应之第一惰 性气体及不与该第二来源气体反应之第二惰性气 体,且其中 该供应通道包括: 一第一供应通道,连接至该反应室以向该反应室供 应该第一来源气体及该第一惰性气体;以及 一第二供应通道,连接至该反应室以向该反应室供 应该第二来源气体及该第二惰性气体; 该来源气体供应开口包括: 一第一来源气体供应开口,设置于该第一供应通道 ,用以向该第一供应通道供应该第一来源气体;以 及 一第二来源气体供应开口,设置于该第二供应通道 ,其用于向该第二供应通道供应该第二来源气体; 该来源气体阀包括: 设置于该第一供应通道之一第一来源气体阀,用于 打开与闭合该第一来源气体供应开口;以及 设置于该第二供应通道之一第二来源气体阀,用于 打开与闭合该第二来源气体供应开口。 4.如申请专利范围第3项之薄膜沈积装置,其中该等 第一与第二来源气体阀之每个系为一隔膜阀。 5.如申请专利范围第3项之薄膜沈积装置,其中供应 该第一惰性气体之该第一供应通道系可共同用作 供应该第二惰性气体之该第二供应通道。 6.如申请专利范围第5项之薄膜沈积装置,其中该等 第一与第二来源气体阀之每个系为一隔膜阀。 7.一种薄膜沈积方法,其系藉由分复数次以一次一 种之方式供应复数种来源气体而于放置于一反应 室内之一基板上沈积一薄膜之薄膜沈积方法,该方 法之特征在于:使用如申请专利范围第1项之薄膜 沈积装置,在向该反应室供应每一来源气体时连续 向该反应室供应不与该等来源气体发生反应之一 惰性气体。 8.如申请专利范围第7项之薄膜沈积方法,其中该等 来源气体系供应至用于向该反应室供应该惰性气 体之供应通道,以与该惰性气体一起向该反应室供 应该等来源气体之每个。 9.如申请专利范围第7项之薄膜沈积方法,其中该等 来源气体包括第一来源气体与第二来源气体,且该 惰性气体包括不与该第一来源气体反应之第一惰 性气体及不与该第二来源气体反应之第二惰性气 体,且其中,当向该反应室供应该第一来源气体时 连续向该反应室供应该第一惰性气体,且当向该反 应室供应该第二来源气体时连续向该反应室供应 该第二惰性气体。 10.如申请专利范围第9项之薄膜沈积方法,其中当 向该反应室供应该第一来源气体时,连续向该反应 室供应该第一惰性气体及该第二惰性气体。 图式简单说明: 图1系一传统薄膜沈积装置之轮廓图; 图2系根据本发明之一项具体实施例之薄膜沈积装 置的轮廓图; 图3系图1显示的来源气体阀处于供应来源气体的 状态时之断面一图;以及 图4系图1显示的来源气体阀处于停止供应来源气 体的状态时之断面图。 |
