| 主权项 |
1.一种电晶体之源极/汲极的制造方法,至少包含下 列步骤: 形成一凹型区域于一基材中,且邻接于该电晶体之 闸极;形成一深掺杂区域于该凹型区域之一下表面 ;以及 磊晶成长一半导体材质于该凹型区域,以形成该源 极/汲极。 2.如申请专利范围第1项所述之电晶体之源极/汲极 的制造方法,更包含形成邻接于该闸极之一轻微掺 杂汲极区域。 3.如申请专利范围第1项所述之电晶体之源极/汲极 的制造方法,其中该半导体材质为矽材质。 4.如申请专利范围第1项所述之电晶体之源极/汲极 的制造方法,其中形成该深掺杂区域的步骤包含使 用离子布植制程。 5.如申请专利范围第4项所述之电晶体之源极/汲极 的制造方法,其中该离子布植制程包含布植P型或 是N型之离子。 6.一种电晶体,至少包含: 一闸极,形成于一基材上;以及 一源极/汲极,形成于该基材之一凹型区域,其中该 凹型区域邻接于该闸极,且该源极/汲极包括: 一轻微掺杂汲极区域,邻接于该闸极;及 一深掺杂区域,置于该凹型区域之一下表面。 7.如申请专利范围第6项所述之电晶体,更包含另一 源极/汲极,形成于该基材之另一凹型区域中,该另 一凹型区域邻接于该闸极,且该另一源极/汲极至 少包含: 一轻微掺杂汲极区域,邻接于该闸极;以及 一深掺杂区域,位于该另一凹型区域之一下表面。 8.如申请专利范围第6项所述之电晶体,其中该源极 /汲极至少包含一磊晶成长之半导体材质。 9.如申请专利范围第6项所述之电晶体,更包含间隙 壁于该闸极的相对壁面。 10.如申请专利范围第6项所述之电晶体,该闸极及 该源极/汲极至少包含一接触垫。 11.一种电晶体的制造方法,至少包含下列步骤: 形成一闸极于一基材上,至少包含以下步骤: 形成一闸介电层于该基材上;及 形成一闸电极于该闸介电层上;以及 形成一源极/汲极,至少包含以下步骤: 形成一凹型区域于该基材中,且邻接于该闸极; 形成一深掺杂区域于该凹型区域的下表面;及 磊晶成长一半导体材质于该凹型区域中,以形成该 源极/汲极。 12.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,其中形成该闸极于该基材的步骤中,更包含形 成邻接于该闸极之一轻微掺杂汲极区域。 13.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,其中该半导体材质为矽材质。 14.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,其中形成该深掺杂区域的步骤中包含使用离子 布植制程。 15.如申请专利范围第14项所述之电晶体的制造方 法,其中该离子布植制程包含布植P型或是N型之离 子。 16.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,更包含形成另一源极/汲极,至少包含下列步骤: 形成另一凹型区域于该基材,且邻接于该闸极; 形成一深掺杂区域,位于该另一凹型区域之一下表 面;以及 磊晶长成一半导体材质于该另一凹型区域中,以形 成另一源极/汲极。 17.如申请专利范围第16项所述之电晶体的制造方 法,其中形成该另一源极/汲极的步骤中,更包含形 成邻接于该闸极之一轻微掺杂汲极区域。 18.如申请专利范围第16项所述之电晶体的制造方 法,其中该半导体材质为矽材质。 19.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,其中形成该闸极的步骤中,更包含形成间隙壁 于该闸极及该闸介电层的异侧壁面。 20.如申请专利范围第11项所述之电晶体的制造方 法,其中形成该闸极的步骤及形成该源极/汲极的 步骤中至少包含进行一金属矽化制程来形成接触 垫。 图式简单说明: 第1-13图系绘示依据本发明之一实施例之电晶体的 剖视图。 第14-25图系绘示依据本发明另一实施例之电晶体 的剖视图。 |
