| 主权项 |
1.一种超解析近接场构造之记录媒体,系为记录有 一资讯的唯读型记录媒体,包括: 一基板,在一表面上记录有该资讯; 一反射层,设置于该基板的该表面上,该反射层是 由相变化物质形成的; 一第一介电层,设置于该反射层上; 一罩幕层,设置于该第一介电层上,该罩幕层是由 金属氧化物形成的。 2.如申请专利范围第1项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中更包括一第二介电层,设置于在 该基板与该反射层之间。 3.如申请专利范围第1项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中该罩幕层含有金属的奈米粒子。 4.如申请专利范围第1项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中形成该罩幕层之金属氧化物包括 贵金属氧化物。 5.如申请专利范围第4项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中形成该罩幕层之贵金属氧化物包 括白金氧化物(PtOx)、金氧化物(AuOx)、银氧化物( AgOx)、钯氧化物(PdOx)之任一种。 6.如申请专利范围第1项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中形成该罩幕层之金属氧化物包括 高融点氧化物。 7.如申请专利范围第6项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中形成该罩幕层之高融点氧化物包 括钨氧化物(WOx)。 8.如申请专利范围第1项所述之超解析近接场构造 之记录媒体,其中形成该反射层之相变化物质包括 银铟锑碲化合物(AgInSbTe,AIST)、碳(C)、锗 锑碲化合物(GeSbTe)、锗(Ge)、钨(W)、钛(Ti)、矽(Si )、镁(Mg)、铝(Al)、铋(Bi)、镍(Ni)、钯(Pd)、碲(Te)任 一种。 9.如申请专利范围第1项至第7项其中任一项所述之 超解析近接场构造之记录媒体,其中该资讯由形成 于该基板表面上之标示所记录。 10.如申请专利范围第1项至第7项其中任一项所述 之超解析近接场构造之记录媒体,其中该罩幕层之 厚度为1.5nm以上、10.0nm以下;该第一介电层之厚度 为10nm以上、60nm以下;该反射层之厚度为10nm以上、 80nm以下。 11.如申请专利范围第1项至第7项其中任一项所述 之超解析近接场构造之记录媒体,其中更包括一第 三介电层,设置于该罩幕层上。 12.一种再生方法,系为光学的读取申请专利范围第 1项记载的唯读型记录媒体中所记录的资讯的再生 方法,其中照射该记录媒体的一雷射光束之强度为 1.5mW至4.5mW。 13.如申请专利范围第12项所述之再生方法,其中从 该记录媒体的基板侧照射该雷射光束。 14.如申请专利范围第12项所述之再生方法,其中从 该记录媒体的资讯侧照射该雷射光束。 15.一种再生装置,系为光学的读取申请专利范围第 1项记载的唯读型记录媒体中所记录的资讯的再生 装置,照射强度为1.5mW至4.5mW的雷射光束。 图式简单说明: 图1所绘示为习知唯读型记录媒体的标示长度与载 波杂讯比(Carrier-to-Noise Ratio,CNR)的关系图。 图2所绘示为利用超解析近接场构造之记录型光碟 的纪录原理示意图。 图3所绘示为本发明实施例之Super-RENS ROM的结构剖 面图。 图4所绘示作为本发明实施例之唯读型记录媒体的 标示长度对载波杂讯比(Carrier-to-Noise Ratio,CNR)的关 系图。 图5为绘示本发明实施例之唯读型记录媒体的读取 雷射强度(Pr)对载波杂讯比(Carrier-to-Noise Ratio,CNR) 的关系图。 图6为绘示本发明实施例之唯读型记录媒体的线速 度对载波杂讯比(Carrier-to-Noise Ratio,CNR)的关系图。 图7(a)及图7(b)为表示从Super-RENS ROM读取的信号分别 在频率区域及时间区域的测定结果照片图。 图8(a)及图8(b)为表示从Super-RENS ROM与习知的光碟ROM 读取的信号分别在频率区域及时间区域的测定结 果照片图。 图9(a)及图9(b)为表示从Super-RENS ROM与习知的光碟ROM 读取的信号分别在频率区域及时间区域的测定结 果照片图。 图10所绘示为本发明实施例之Super-RENS ROM 1在利用 雷射光束照射以读取出资讯的情况下,标示长度与 CNR的关系图。 |
