发明名称 半导体载带用膜及使用其之半导体装置、液晶模组
摘要 半导体载带用膜包括:基膜,其具有绝缘性;阻挡层,其形成于基膜上,以镍铬合金为主成分;及配线层,其形成于阻挡层上,由含有铜之导电物构成;阻挡层中铬含有率为15~50重量%。又,藉由于配线层接合半导体元件,形成半导体装置。为能够适用于微距化及高输出化,即使于高温高湿环境下,藉此能够提供一种端子间之绝缘电阻亦较知不易劣化之半导体载带用膜及使用其之半导体装置。
申请公布号 TWI247406 申请公布日期 2006.01.11
申请号 TW093118332 申请日期 2004.06.24
申请人 夏普股份有限公司 发明人 山地泰久;丰泽健司
分类号 H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种半导体载带用膜,其系包括: 基膜,其具有绝缘性; 阻挡层,其形成于基膜上,包含铬合金;及 配线层,其形成于阻挡层上,其含有铜之导电物构 成;且 上述阻挡层中铬含有率为15-50重量%。 2.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中上 述阻挡层之铬含有率为15-30重量%。 3.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中上 述阻挡层之厚度为10-35nm。 4.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中上 述基膜厚度为25-50m。 5.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中于 上述阻挡层中含有锌作为副成分; 阻挡层中锌含有率为0.1-5重量%。 6.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中于 上述阻挡层中含有钼作为副成分; 阻挡层中钼含有率为1-10重量%。 7.如申请专利范围第1项之半导体载带用膜,其中上 述阻挡层为镍铬合金。 8.一种半导体装置,其系具备: 半导体载带用膜,其包括: 基膜,其具有绝缘性; 阻挡层,其形成于基膜上,包含铬合金;及 配线层,其形成于阻挡层上,由含有铜之导电物构 成;及 半导体元件,其接合于上述配线层;且 上述阻挡层中铬含有率为15-50重量%。 9.一种液晶模组,其具有半导体装置及液晶显示面 板,该半导体装置具备: 半导体载带用膜,其包括: 基膜,其具有绝缘性; 阻挡层,其形成于基膜上,包含铬合金;与 配线层,其形成于阻挡层上,由含有铜之导电物构 成;及 半导体元件,其接合于上述配线层;且 上述液晶显示面板系由上述半导体元件驱动; 上述阻挡层中铬含有率为15-50重量%。 图式简单说明: 图1系关于本发明之半导体载带用膜之剖面图。 图2系关于本发明之半导体装置之剖面图。 图3系显示阻挡层之表面电阻系数及体积电阻系数 之铬含有率依存性之图表。 图4系显示各阻挡层规格于氰基溶液中之表面电位 之图表。 图5系显示阻挡层对于铬含有率之蚀刻性之图表。 图6系显示阻挡层对于厚度之蚀刻性之图表。 图7系显示对于各阻挡层规格之端子间泄漏电流値 之湿度依存性之图表。 图8系藉由习知之金属喷镀法形成之半导体载带用 膜之剖面图。 图9系说明迁移产生机理之习知半导体载带用膜之 剖面图。 图10系关于本发明之液晶模组之剖面图。
地址 日本