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发明名称 METHOD OF MAKING A TRENCH GATE DMOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP1269530(B1) 申请公布日期 2006.01.11
申请号 EP20010920447 申请日期 2001.03.16
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 SO, KOON, CHONG;HSHIEH, FWU-IUAN
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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