| 发明名称 | 隔离沟槽的结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体沟槽隔离结构含有一基底以及一沟槽形成其中。此沟槽中内衬有一含氮(nitrogen－containing)内衬层并以一介电材料填入其中。该含氮内衬层较佳与邻接沟槽的有源区上的组件(例如晶体管)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN2751439Y | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN200420077252.6 | 申请日期 | 2004.08.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志欣;杨育佳;葛崇祜;李文钦 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种隔离沟槽的结构，其特征在于，包括：一基底其上含有侧壁表面的一沟槽，该沟槽至少含有一上部及一底部的圆角处；一含氮内衬层与上述沟槽中至少一上部及一底部的圆角处形成接触；以及一沟槽填充材料于该沟槽内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||