Double-gate MOS transistor and method of fabricating the same,申请号KR20030003807-传众专利搜索

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发明名称	Double-gate MOS transistor and method of fabricating the same
摘要
申请公布号	KR100541047(B1)	申请公布日期	2006.01.11
申请号	KR20030003807	申请日期	2003.01.20
申请人		发明人
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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